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108年 - 108 身心障礙特種考試_四等_電力工程:電子學概要#75728
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四、請以雙埠網路(two port network)及其輸入、輸出之電壓、電流等式之參 數(parameters)變化,來說明單向(unilateral)電路的特性。(20 分)
相關申論題
一、如圖一所示電路,其中MOSFET電晶體的特性μ n COX = 300 μA/V 2,W/L = 20, VA = 50 V,此電路之Q點偏壓,讓其 I D = 0.25 mA,RD = 10 kΩ,RG = 5 MΩ, Rsig = 500 kΩ,其負載電阻RL = 10 kΩ,假設CC1,CC2,CS皆無窮大,求輸入 阻抗Rin =?輸出阻抗RO =?開路電壓增益Avo =?全電路電壓增益(overall V voltage gain), Gv = O =?(20分)
#305511
二、如圖二所示電路,其中 BJT 電晶體的特性 β = 120 , γ O = 400 kΩ , 又 Cμ = 1 pF ,又 CC1,CC2,CE 皆無窮大,Rsig = 10 kΩ,R1 = 66 kΩ,R2 = 44 kΩ, RE = 4 kΩ,RC = 5 kΩ,VCC = 5 V,RL = 5 kΩ,直流偏壓電流 IE = 0.3 mA,假 設 fT = 900 MHz,求 fH(3 dB 頻率)=?(20 分) 圖二
#305512
三、在雙極性接面電晶體(BJT)和金氧半場效電晶體(MOSFET)的特性, 其爾利電壓(early voltage)若存在,請分別說明在雙極性接面電晶體(BJT) 和金氧半場效電晶體(MOSFET)是什麼原因產生爾利電壓?請分別說明 這現象對雙極性接面電晶體(BJT)和金氧半場效電晶體(MOSFET)之 等效電路模型有何影響?(20 分)
#305513
五、請將 之函數以 Dynamic MOS logic circuits 之型式,畫出其電路圖,並說明其工作原理。(20 分)
#305515
(二)當 vA = vB = 5 V 時,vO = ?(15 分)
#570154
(一)當 vA = vB = 0 V 時,vO = ?(10 分)
#570153
三、圖 三 為 一 個 npn 雙 載 子 接 面 電 晶 體 ( BJT ) 疊 接 放 大 器 ( Cascode Amplifier)電路,電晶體 Q1 與 Q2 皆工作在主動模式(Active Mode) 下。為計算方便,未顯示其偏壓電路,但已知 IC2 = 1 mA。電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下:β1 = β2 =100,VA1 = VA2 = 150 V,VT1 = VT2 = 25 mV, Cπ1 = Cπ2 = 15 pF,Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF,CS1 = CS2 = 0。電路部分,Rsig = 2 kΩ, RL = 4 kΩ,CL = 20 pF。請計算中頻增益 AM 與上 3dB 頻率 fH。(25 分)
#570152
二、圖二為一個 pnp 雙載子接面電晶體(BJT)電路,電晶體 Q 的參數如下: β = 100,ro = ∞,VT = 25mV,如果電晶體 Q 導通,其 VEB = 0.7V。電路 中,RB = 100kΩ,RE = 5kΩ,RL = 2kΩ,CC 是一個耦合電容,其值為∞。 請計算輸入電阻 Rin、輸出電阻 Rout 與電壓增益 vo/vsig。(25 分)
#570151
一、有一個理想運算放大器(Operational Amplifier)電路如圖一所示,輸入電 壓信號分別為 V0、V1、V2 與 V3,輸出電壓信號為 Vo。電路中 R = 10kΩ。 請計算 Vo。(25 分)
#570150
四、有一個串並(Series-Shunt)回授放大器電路如圖三所示,所有電晶體均工作 在飽和區(Saturation Region)。為計算方便,未顯示其偏壓電路。NMOSFET 電晶體 Q1 與 PMOSFET 電晶體 Q2 的參數如下:g m1 = g m2 = 5 mA/V, ro1 = ro2 = ∞。電路中,RD1 = 10 kΩ,RD2 = 10 kΩ,R1 = 2kΩ,R2 = 18 kΩ。 請計算:電壓增益 vo/vs、輸入電阻 Rin 與輸出電阻 Rout。(25 分)
#569908
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