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【段考】國一數學上學期
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110年 - 110 彰化縣立福興國中第一學期七年級第二次段考數學科#106084
> 申論題
沒有 【段考】國一數學上學期 權限,請先開通.
詳解 (共 1 筆)
陳俊友
詳解 #5915973
2023/08/20
不合理,因為763÷3=254…1不是餘2
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#452697
1. What range of impurity gradient should be considered if we want to obtain the breakdown voltage = 250 to 750 V in a linearly graded Si p-n junction? Assume the breakdown maximum electric field =2.5 x 105 V/cm, = 11.9.
#452698
2. Copper is deposited on an n-type Si substrate to form an ideal Schottky diode. = 4.65 eV, the electron affinity is 4.01 eV, cm3. Calculate the barrier height, the built-in potential, the depletion-layer width, and the maximum field at zero bias. T = 300K. Effective density of states in conduction band is 2.86 X .
#452699
3. Derive the depletion layer width of a p-n junction. Doping concentrations are . Dielectric constant is and the built-in potential is .
#452700
4. Calculate the emitter injection efficiency. Assume the following transistor parameters:Doping concentrations in base and emitter are and . Widths of neutral base and enitter are = 0.8 um and = 0.5 pm.Minority carrier diffusion coefficients in base and emitter are = 20 cm2/s and = 10 cm2/s.
#452701
5. Calculate the threshold voltage shift due to short-channel effect. Consider an n-channel MOSFET with , channel length L = 1 um, diffused junction depth = 0.3 μm, oxide thickness , and dielectric constant of oxide is 3.9.
#452702
(a) Find a such that x - a is orthogonal to 1.
#452703
(b) Let S be the subspace of all linear functions in C[0,1]. Find an orthonormal basis {u1(x),u2(x)]for S.
#452704
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