題組內容

第三題: 如【圖三】所示為一 N 通道增強型 MOSFET,假設電路參數 R1= 30 KΩ,R2= 20 KΩ, RD= 20 KΩ,VDD = 5 V,VTN =1 V,Kn =0.1 mA/V2。請問:

(三)電晶體的功率耗散為多少?【10 分】

詳解 (共 1 筆)

yo
yo
詳解 #3578827
2019/09/14
電晶體的功率耗散=ID*VDSVG=2V...
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