⑴忽略電晶體輸出電阻的效應，求 R 值使 P-MOSFET 電晶體的汲極偏壓電流為 1 mA。（10 分）

三、圖三為一個 npn 雙載子接面電晶體（ BJT ）疊接放大器（ Cascode Amplifier）電路，電晶體 Q1 與 Q2 皆工作在主動模式（Active Mode）下。為計算方便，未顯示其偏壓電路，但已知 IC2 = 1 mA。電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下：β1 = β2 =100，VA1 = VA2 = 150 V，VT1 = VT2 = 25 mV， Cπ1 = Cπ2 = 15 pF，Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF，CS1 = CS2 = 0。電路部分，Rsig = 2 kΩ， RL = 4 kΩ，CL = 20 pF。請計算中頻增益 AM 與上 3dB 頻率 fH。（25 分）