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102年 - 102 公務升官等考試_薦任_電力工程、電子工程、電信工程：電子學#43811
> 申論題
題組內容
一、NMOS 電晶體的 ID-VDS 特性曲線如圖一(a)，工作點位於 Q 點。
⑴由特性曲線估算電晶體在 Q 點之小訊號輸出電阻 r
o
值，並說明估算方式。（5 分）
相關申論題
⑵由圖一(a)，忽略 ro，繪出此電晶體 ID-VGS 轉換曲線如圖一(b)，先標出 VGS = 0, 0.5, 1, 1.5, …, 3.5 V 時之 ID 值，再以曲線連結。（5 分）
#142220
⑶由圖一推導 ID-VGS 關係式，忽略 ro，估算此 NMOS 電晶體在 Q 點之小訊號轉導 （transconductance）gm 值。（10 分）
#142221
⑴列表並說明圖五(a)數位電路輸出信號 Q（0 或 1）與輸入信號 S、R（0 或 1）之 間的關係。（10 分）
#142225
⑵圖五(b)電路之輸入信號 D、CK 如圖五(c)（高、低電位分別代表 1 與 0）所示， 繪出對應的 Q 波形，並說明其原理，無說明者本小題不計分。（10 分） 圖五(a) 圖五(b) 圖五(c)
#142226
6. 已知下圖疊接放大電路之MOSFET參數K₁=K₂=0.5mA/V²，靜態汲極電流ID為0.5mA，則電路之gm為？
#566892
5. 如圖所示電路，Vi=3.77cos377tV，R=100kΩ，C=1μF，電容電壓初值為零，則輸出電壓Vo為？
#566891
4. 如圖所示電路，若運算放大器具理想特性且Vo=12V，試求電流源I1為？
#566890
3. 如圖所示主動式帶通濾波器，其高頻截止頻率為fH，低頻截止頻率為fL，若C₂=5C₁，R₂=4R₁，則fH/fL為？
#566889
2. 如圖所示電路，假設電源電壓VDD=20V，VSS=-20V，且工作點設置於VGS=-1V，VDS=9V，ID=7mA，汲極電阻RD值約為？
#566888
二、填充題1. 如圖所示電路，若電晶體的切入電壓VBE為0.7V且電阻15kΩ消耗150μW，試求該電晶體的β值為________。
#566887
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