阿摩線上測驗
登入
首頁
>
電子學
>
102年 - 102 專技高考_電子工程技師：電子學#43659
> 申論題
題組內容
三、如圖三為以 PMOS 電晶體為電流源負載的 MOS 差動放大器，設 Q
1
= Q
2
，Q
3
= Q
4
， 且均工作於飽和模式（saturation-mode）。
⑶試說明此差動電壓增益 A
d
與定電流源 I 兩者間的關係。（5 分）
相關申論題
⑴當 vI = 1 V 時之 iD1、iD2 及 vO 之值；並說明二極體 D1、D2 的導通狀態。
#141256
⑵當 vI = 5 V 時，重解⑴。
#141257
⑶當 vI = 20 V 時，重解⑴。
#141258
⑷繪出此電路之 vO 對 vI 的電壓轉換特性（voltage-transfer-characteristic, VTC）圖。並 標示各斷點的 vI、vO 值。
#141259
⑴試就直流分量部份分析此電路，求 IE、IB、VB、VE、IC、VC 之值。（6 分）
#141260
⑵求此電晶體之小訊號參數 gm、re、rπ 之值。（6 分）
#141261
⑶求此電路之輸入電阻 Rin 及輸出電阻 Rout 之值。（4 分）
#141262
⑷若要使該電晶體維持在主動模式（active-mode），則RC 的最大值應為多少？（4 分）
#141263
⑴求此電路的差動電壓增益 Ad ≡ vod/vid 的式子，以 gm1、ro1、ro3 表示。（5 分）
#141264
⑴ VIB 及 VOH 的值。（8 分）
#141267
相關試卷
114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電力工程、電子工程、電信工程：電子學#134800
114年 · #134800
114年 - 114 地方政府公務特種考試_四等_電力工程、電子工程、電信工程：電子學概要#134742
114年 · #134742
114年 - 114 專技高考_電子工程技師：電子學#133712
114年 · #133712
114年 - 114 公務升官等考試_薦任_電力工程、電子工程、電信工程：電子學#133247
114年 · #133247
114年 - 114 原住民族特種考試_四等_電子工程：電子學概要#130947
114年 · #130947
114年 - 114 專技高考_專利師（選試專業英文及電子學）、專利師（選試專業日文及電子學）：電子學#130110
114年 · #130110
114年 - 114 普通考試_電力工程、電子工程、電信工程：電子學概要#128790
114年 · #128790
114年 - 114 高等考試_三級_電力工程、電子工程、電信工程：電子學#128768
114年 · #128768
113年 - 113-2 國營臺灣鐵路股份有限公司_從業人員甄試試題_第10階-助理技術員-電務 第10階-助理技術員-電力：電子學概要#137201
113年 · #137201
113年 - 113 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試試題_從業職員＿電子電機：電子學#133997
113年 · #133997
阿摩線上測驗
登入
阿摩線上測驗
登入