4. 4 Ci的鈷(60Co)射源，其半衰期約為5.3年，若經過10.6年後，其活度約剩下 (6) Ci

詳解 (共 2 筆)

詳解提供者：Bao

詳解提供者：j900203

二、填充題 (20%，每格 2 分) 1. 高能量貝他粒子的屏蔽通常有兩層，靠近貝他輻射源之內層屏蔽使用1 原子序材料以阻擋貝他粒子，外層屏蔽則使用 2 原子序材料以阻擋貝他粒子與屏蔽物質作用所誘發的制動輻射。

4. 4 Ci的鈷(⁶⁰Co)射源，其半衰期約為5.3年，若經過10.6年後，其活度約剩下 (6) Ci