最新資料

警察勤務條例及警械使用條例

警械使用條例

識篆(小篆之書寫、辨識與編排)

115年 - 115 專技普考_地政士：土地登記實務#140545(4題)

115年 - 115 專技普考_地政士：民法概要與信託法概要#140544(7題)

115年 - 115 專技高考_驗船師：船用電學（包括1.船用電路2.船用電機設備3.船用電機檢驗4.船用無線電通信設備檢驗）#140543(12題)

115年 - 115 專技普考_消防設備士：消防法規概要#140542(42題)

115年 - 115 專技高考_驗船師：專業英文#140541(8題)

115年 - 115 專技高考_驗船師：輪機工程（包括1.柴油機2.鍋爐及壓力容器3.泵、閥4.起錨機、舵機5.冷藏設備6.通風設備7.防止污染設備）#140540(5題)

115年 - 115 專技高考_驗船師：造船原理（包括1.船型與噸位2.浮力與穩度3.破損穩度及艙區劃分4.駐塢及下水5.結構及強度6.阻力與推進7.運動與操縱）#140539(7題)

115年 - 115 專技高考_驗船師：輪機檢驗（包括1.材料檢驗2.鍋爐及壓力容器3.主機4.輔機5.軸系及推進器6.泵、閥及管路7.通風及冷藏8.試俥試航9.污染管制）#140538(5題)

115年 - 115 專技高考_驗船師：船體檢驗（包括1.船級2.電銲3.建造時之檢驗4.載重線勘劃5.海上人命安全國際公約6.噸位丈量7.繫船及起貨設備8.現成船特別、定期及臨時檢驗9.國際海上避碰規則10.防止船舶污染國際公約）#140537(9題)

115年 - 115-1 專技高考_食品技師：食品化學#140536(4題)

50. 下方所列之化學反應是由何種酵素催化？ 琥珀酸 + ATP + CoA ≙ 琥珀酸醯 CoA (A) 結合/連接酶 (B) 異構酶 (C) 轉移酶 (D) 製解/解離酶

49. 下列有關細菌生長時期之順序描述，何者正確？ (A) 遲滯期 → 對數期 → 靜止期 → 死亡期 (B) 靜止期 → 遲滯期 → 對數期 → 死亡期 (C) 遲滯期 → 靜止期 → 對數期 → 死亡期 (D) 對數期 → 遲滯期 → 靜止期 → 死亡期

48. 台灣於 2010 年發生真空包裝豆乾之中毒事件，與下列何種微生物有關？ (A) 肉毒桿菌 (B) 大腸桿菌 (C) 唐菖蒲伯克氏菌 (D) 金黃色葡萄球菌

5. 試述依據「海洋污染防治法」第33條第一項：當船舶發生海難或因其他意外事件，致污染海域或有污染之虞時，船長及船舶所有人應立即採取之措施為何？

4. 船舶火災撲滅作業，一般分為幾個階段，試述之。

3. 試述撲滅B類火災的三基本原則為何？

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講師：tina

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企業管理大意

描述：企業管理大意

企業管理大意

描述：企業管理大意

三疊字

課程：國文大本營
章節：〚PART 1〛形音義

47.下列那些患者不適宜使用aspirin作手術後止痛？①氣喘病患 ②腎功能不良病患 ③授乳中之婦女 (A)僅①② (B)僅②③ (C)僅①③ (D)①②③

72.造成下顎左側向滑動的中心關係干擾（CR interferences）產生的位置，下列敘述何者完全正確？①左側上顎 頰側咬頭舌側斜面接觸左側下顎頰側咬頭頰側斜面 ②左側上顎舌側咬頭舌側斜面接觸左側下顎舌側咬頭頰 側斜面 ③右側上顎舌側咬頭舌側斜面接觸右側下顎舌側咬頭頰側斜面 ④右側上顎頰側咬頭舌側斜面接觸 右側下顎頰側咬頭頰側斜面 (A)①② (B)③④ (C)①③ (D)②④

71.有關中藥葛根之敘述，下列何者錯誤？(A)基原植物之科別為 Fabaceae (B)多為栽培，臺灣產品質優良，產量多 (C)主成分為 lignans 類，具有改善心血管與腦血管循環作用 (D)為辛涼解表藥

11. 塑膠製洗鼻器及洗鼻鹽包組成之洗鼻器組，應歸列那一稅則號別？ (A)第 3824.99.99 號「其他化學或相關工業之未列名化學品及化學製品(包括天然產品混合物)」 (B)第 3924.90.00 號「其他塑膠製家庭用製品及衛生保健或盥洗用具」 (C)第 3926.90.90 號「他塑膠製品及第 3901 至 3914 節之材料製成品」 (D)第 9018.90.80 號「其他第 9018 節所屬之貨品」(內科用之用具)

12. 以塑膠基材且均勻塗佈磨料及矽膠彈性體之探針卡用清潔片，供晶圓測試臺上清除、磨光探 針並黏附碎屑，應歸列稅則那一節？ (A)第 3919 節「塑膠製自粘性板、片、薄膜、箔、帶、條及其他平面形狀，不論是否成捲者」 (B)第 4016 節「其他硫化橡膠製品，硬質橡膠者除外」 (C)第 6805 節「以紡織材料、紙、紙板或其他材料為基材之天然或人造研磨料，不論是否剪裁 或縫合或另經製作者均在內」 (D)第 8486 節「專供或主要供製造半導體晶柱或晶圓、半導體裝置、積體電路及平面顯示器之 機器及器具；本章註十一(丙)所規範之機器及器具；零件及附件」

(一)請詳述使用靜電足跡採取器（Electrostatic Dust Lifter, EDL）採取此類 潛伏灰塵足跡（Dust Prints）的高壓靜電物理學原理？在操作時，高壓 加載、電壓極性（正負電）與金屬電極/導電膠片的空間排列，如何促 使微量灰塵顆粒發生物理轉印？（13 分）