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115年 - 115 公共工程品管人員(土建班)題庫 1501-1550（2026/08/03 更新）#143102(50題)

115年 - 115 公共工程品管人員(土建班)題庫 1451-1500（2026/08/03 更新）#143101(50題)

115年 - 115 公共工程品管人員(土建班)題庫 1401-1450（2026/08/03 更新）#143100(50題)

115年 - 115 公共工程品管人員(土建班)題庫 1351-1400（2026/08/03 更新）#143099(50題)

115年 - 115 公共工程品管人員(土建班)題庫 1301-1350（2026/08/03 更新）#143098(50題)

115年 - 115 公共工程品管人員(土建班)題庫 1251-1300（2026/08/03 更新）#143097(50題)

115年 - 115 公共工程品管人員(土建班)題庫 1201-1250（2026/08/03 更新）#143095(50題)

115年 - 115 公共工程品管人員(土建班)題庫 1151-1200（2026/08/03 更新）#143094(50題)

115年 - 115 公共工程品管人員(土建班)題庫 1051-1100（2026/08/03 更新）#143092(50題)

115年 - 115 公共工程品管人員(土建班)題庫 1101-1150（2026/08/03 更新）#143091(50題)

146. 以一含內阻之電源提供負載功率，當負載獲得最大輸出功率時，其傳輸效率為何？ 鐵路、國安特考 112 (A)25% (B)50% (C)60% (D)80%

145. 以 KCL 求解右圖示電路時，下列何者為節點 Vb 之正確表示式？ 初等考 114 (A)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 + (Vb – Vc)/R2 = 0 (B)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 + (Vb – Vc)/R2 + R4 = 0 (C)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 –(Vb – Vc)/R2 = 0 (D)(Vb – Va)/R1 + (Vb – Vc)/R2 = 0

144. 如下圖所示之電路，則電流 I 為多少安培？ 初等考 114 (A) –2 (B)\( \frac{4}{3} \)(C)4 (D)6

四、通過 ISO/IEC 17025 國際標準認證是維持鑑識科學實驗室品質的重要方式之一，該國際標準中要求實驗室對於量測之設備需評估其量測不確定度，試說明何謂「量測不確定度」？並舉例說明 1 種以上評估及計算方式。

三、試說明紅外線攝影及螢光攝影之原理與運用時應注意事項，並各舉一例其技術在刑案現場之應用。

(四)進行指紋比對時，研判兩枚指紋為個化結果之條件，除需紋型相符外，另需達 12 個指紋特徵點相符，其理由何在？(10 分)

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講師：陳耘得

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講師：陳耘得

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講師：陳耘得

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抗癲癇藥 (Anticonvulsant)+表格筆記整理

課程：【A'phar 藥理學與藥物化學】 單元式歷屆考題彙整
章節：每次必考(題目延長收錄至90年)

抗心衰竭藥+表格筆記整理

課程：【A'phar 藥理學與藥物化學】 單元式歷屆考題彙整
章節：每次必考(題目延長收錄至90年)

主題名稱

課程：【A'phar 藥理學與藥物化學】 單元式歷屆考題彙整
章節：每次必考(題目延長收錄至90年)

73.下列那一個輻射源是中子射源？ (A)32P (B)210Pu-Be (C)60Co (D)147Pm-Au

1 在卵受孕過程中，前三週之著床期（preimplantation）過度輻射曝露，最易造成那種後果？ (A)嬰兒患器官發育畸形症 (B)嬰兒患生長遲滯症 (C)後代白血病發生率增加 (D)造成不自知之流產

複選題33. 星星公司於2024年底購置標價為440,000之設備，當即開立面額440,000，一年期不附息票據乙紙。若有效利率為10%，則開立票據購置設備事項對星星公司2025年底資產與負債之影響為何？(A)資產增加440,000 (B)負債增加440,000 (C)資產增加400,000 (D)負債增加400,000。

1. 有關下列之敘述，何者正確？(A) 財政部國際貿易署為我國的貿易主管機關(B) 代理交易是委託人與代理人間一種買斷關係(C) 衛生福利部負責藥品、醫療器材、食品及化妝品等進出口審理(D) 關務署掌理貨物進出口驗關、徵稅及退保稅，其主管機關為經濟部。

20.在花店各式花籃的慶賀賀卡上的題辭，下列何者錯誤？ (A)長輩嫁女：摽梅迨吉 (B)好友遷居：良禽擇木 (C)晚輩訂婚：緣定三生 (D)親戚生兒：弄瓦徵祥

(二)請就一 n 型 MOSFET 元件中的 LDD(lightly doped drain) 、halo 與 APT (anti-punch through)等三項離子佈植步驟，說明其主要目的與植入雜質型式(n 型、p 型或均可) 。(15 分)