試卷測驗 - 113 年 - 113 台灣電力公司_新進僱用人員甄試：電子學#119792-阿摩線上測驗

阿摩：寶劍鋒從磨礪出，梅花香自苦寒來

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試卷測驗 - 113 年 - 113 台灣電力公司_新進僱用人員甄試：電子學#119792

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1(C).

1. 氮化鎵(GaN)係由氮和鎵所組成之化合物，為使晶體結構中部分的鎵(Ga)原子被其他原子取代以形成 N 型半導體，可摻雜下列何種材料？
(A)鎘(Cd)
(B)鎂(Mg)
(C)矽(Si)
(D)鋅(Zn)

2(D).

2. 有關稽納二極體(Zener Diode)之敘述，下列何者有誤？
(A) p-n接面形成較窄之空乏區，而電場強度大
(B)稽納崩潰發生於低逆向偏壓
(C)稽納二極體可用於穩壓器
(D)稽納崩潰逆向偏壓較累增崩潰逆向偏壓大

3(C).

3. 有一放大器之功率增益為 40 dB，電壓增益為 40 dB，試求電流增益為何？
(A) 1
(B) 10
(C) 100
(D) 1,000

4(C).

4. 有一全波整流器，輸入訊號為 60 Hz，輸出電壓峰值為 1.5 V，輸出負載為 5 kΩ 及漣波電壓限制為 0.1 V，試求濾波電容為何？
(A) 2.5 μF
(B) 5 μF
(C) 25 μF
(D) 50 μF

5(C).

5. 有關箝位器功能之敘述，下列何者正確？
(A)高頻濾波
(B)半波整流
(C)調整直流準位
(D)低頻濾波

6(C).

6. 有一電路如右圖所示，rπ = 1 k Ω，R = 0.01 k Ω，β = 199，試求輸入阻抗 Zi 為何？
(A) 0.015 kΩ
(B) 1.01 kΩ
(C) 3 kΩ
(D) 21 kΩ

7(C).

7. 有一電路如右圖所示，下列何者將使 D₁ 截止、D₂ 導通？
(A) V₁= 0 V，V₂= 0 V
(B) V₁= 4 V，V₂ = 0 V
(C) V₁= 8 V，V₂ = 2 V
(D) V₁ = 8 V，V₂ = 8 V

8(A).

8. 如右圖所示，假設二極體均為理想二極體，試求 V_o 為何？
(A) 0 V
(B) 4 V
(C) 6 V
(D) 8 V

9(B).

9. 有一半波整流電路之負載為電容器，則該電路中二極體之峰值反向電壓(PIV)為何？
(A) V_rms
(B) 2V_p
(C)
(D)

10(D).

10. 有一電路如右圖所示，已知 I_D = 1.2 mA，V_G = 0 V，V_T= -0.6 V， |V_GS- V_T| = 0.4 V，試求 R₁ 為何？
(A) 1 kΩ
(B) 2 kΩ
(C) 2.67 kΩ
(D) 4 kΩ

11(C).

11. 有一電路如右圖所示，I_REF = 0.3 mA，試求 I₁ 為何？
(A) 0.15 mA
(B) 0.6 mA
(C) 0.9 mA
(D) 1.8 mA

12(C).

12. 有一電路如右圖所示，V₁ = 1.5 V，V₂ = 2.5 V，V₃ = 2 V， R₁ = R₂ = R₃ = 3 kΩ，R₄=1 kΩ，試求 V_o 為何？
(A) -6 V
(B) -3 V
(C) -2 V
(D) 0 V

13(C).

13. 有一電路如右圖所示，已知 PMOS 參數V_A = 20 V，電晶體 |V_A| = 100 V，β = 100，V_T= 25 mV，下列何者有誤？
(A) r_{o, PMOS} = 20 kΩ
(B) r_{o, BJT} = 200 kΩ
(C) r_{π, BJT} = 10 kΩ
(D) g_{m, BJT} = 20 mS

14(A).

14. 有一電路如右圖所示， V_BE = 0.6 V ， β = 99 ， V_T= 25 mV ， V_i= 1.6 V，R₁ = 10 kΩ，R₂ = 100 Ω，試求 r_π為何？
(A) 0.25 kΩ
(B) 0.5 kΩ
(C) 12 kΩ
(D) 32 kΩ

15(D).

15. 有一共射極(CE)放大器如右圖所示，下列敘述何者有誤？
(A) r_π= (1+β)r_e
(B) R_o1 = R_c‖r_o
(C) R_o2= R_c‖r_o‖R_L
(D) R_in = R_B1‖R_B2‖r_π‖R_sig

16(B).

16. 有一負回授放大器，其閉迴路增益 A_f = 100，開迴路增益 A = 10⁴ ，試求回授因子 β 為何？
(A) 0.0099
(B) 0.099
(C) 0.99
(D) 9.9

17(C).

17. 有一回授放大器，其開迴路增益 A = 10⁶ ，開迴路頻寬 1 kHz，閉迴路增益 A_f = 10²，試求閉迴路頻寬為何？
(A) 10² kHz
(B) 10³ kHz
(C) 10⁴ kHz
(D) 10⁵ kHz

18(B).

18. 有一差動放大器，其共模拒斥比 CMRR = 80 dB，差模增益 A_d= 100，試求共模增益 A_cm 為何？
(A) 10^-8
(B) 10^-2
(C) 10²
(D) 10⁶

19(C).

19. 有一週期性方波信號，其正峰值電壓為 +8 V，負峰值電壓為 -4 V，此信號平均值為 +0.8 V，試求工作週期(duty cycle)為何？
(A) 20 %
(B) 40 %
(C) 60 %
(D) 80 %

20(D).

20. 有一橋式整流器，試求輸出電壓有效值 V_rms約為平均值 V_av 的幾倍？
(A)
(B)
(C)
(D)

21(D).

21. 有一理想變壓器之電流增益為 40 dB，試求初級線圈與次級線圈匝數比 (N₁：N₂) 為何？
(A) 1:1
(B) 1:100
(C) 10:1
(D) 100:1

22(A).

22. 當 p-n 接面二極體的 p 端接電源的負極，n 端接電源的正極，下列何者正確？
(A)空乏區變寬、障壁電位增加
(B)空乏區變窄、障壁電位增加
(C)空乏區變寬、障壁電位減少
(D)空乏區變窄、障壁電位減少

23(D).

23. 有一理想放大器如右圖所示，V₁= 3 V，V₂= 9 V，V_o = 9 V， R₁ = 8 kΩ，R₂ = 3 kΩ，R₃= 6 kΩ，試求 R₄為何？
(A) 1 kΩ
(B) 2 kΩ
(C) 4 kΩ
(D) 8 kΩ

24(D).

24. 有一差動放大器，其共模拒斥比 CMRR = 40 dB，差模增益 A_d = 200，當輸入電壓分別為 v_i1 = 35 μV、v_i2 = 25 μV 時，下列何者有誤？
(A)差模輸入電壓 V_d=10 μV
(B)共模輸入電壓 V_cm= 30 μV
(C)共模增益 A_cm = 2
(D)輸出電壓 V_o = 1.06 mV

25(A).

25. 如右圖所示之電路係屬下列何種型態？

(A)積分器
(B)微分器
(C)加法器
(D)變頻器

26(A).

26. 有關微分器、積分器之敘述，下列何者正確？
(A)方波輸入積分器後之輸出波形為三角波
(B)三角波輸入積分器後之輸出波形為方波
(C)方波輸入微分器後之輸出波形為三角波
(D)三角波輸入微分器後之輸出波形為正弦波

27(B).

27. 雙極性接面電晶體(BJT)運作於主動模式，若 β 參數由 99 變化到 49，則 α 參數之變化為何？
(A)由 0.99 變化到 0.49
(B)由 0.99 變化到 0.98
(C)由 0.97 變化到 0.96
(D)由 0.98 變化到 0.97

28(B).

28. 有關理想運算放大器之敘述，下列何者有誤？
(A)輸出阻抗無窮大
(B)輸入阻抗無窮大
(C)頻帶寬度無窮大
(D)開迴路電壓增益無窮大

29(A).

29. 電壓 V(t) = 80 sin(ωt+ 30°) V，週期 T = 0.01 秒，當 t = 0 秒時瞬間電壓為何？
(A) 40 V
(B) 50 V
(C) 60 V
(D) 80 V

30(D).

30. 雙極性接面電晶體(BJT)可分為 NPN 型及 PNP 型，其基極( B )、集極( C )及射極( E )的摻雜濃度由大至小依序排列，下列何者正確？
(A) NPN：E ＞ C ＞ B；PNP：E ＞ C ＞ B
(B) NPN：B ＞ C ＞ E；PNP：E ＞ B ＞ C
(C) NPN：E ＞ B ＞ C；PNP：E ＞ C ＞ B
(D) NPN：E ＞ B ＞ C；PNP：E ＞ B ＞ C

31(A).

31. 有一雙極性接面電晶體(BJT)基本放大電路，若輸出端為射極
(E)，則其放大電路組態應為下列何者？
(A)共集極(CC)組態
(B)共射極(CE)無 R_E 組態
(C)共射極(CE)有 R_E組態
(D)共基極(CB)組態

32(B).

32. 有關雙極性接面電晶體(BJT)之工作模式，下列敘述何者有誤？
(A)作為開關使用，若開關導通(ON)，應工作於飽和區
(B) B-E 接面加逆向偏壓，B-C 接面加順向偏壓時，處於截止區
(C)作為線性放大器使用，應工作於主動區
(D)應用於主動區時，則 B-E 接面加順向偏壓，B-C 接面加逆向偏壓

33(A).

33. 有一矽二極體在溫度 90 ℃ 時，其逆向飽和電流為 192 nA，若溫度下降至 30 ℃ 時，試求逆向飽和電流為何？
(A) 3 nA
(B) 6 nA
(C) 12 nA
(D) 24 nA

34(C).

34. 有一放大電路以中頻段增益為基準，有關其截止頻率之敘述，下列何者有誤？
(A)截止頻率又稱半功率點頻率
(B)截止頻率又稱 -3 dB 點頻率
(C)半功率點是指增益衰減至中頻段增益的一半
(D)截止頻率可分為低頻截止頻率點與高頻截止頻率點

35(C).

35. 有關場效電晶體(FET)之敘述，下列何者有誤？
(A) MOSFET 的工作模式為歐姆區(三極管區)、夾止飽和區及截止區
(B)可分成傳導載子為電子的 n 通道與傳導載子為電洞的 p 通道
(C) MOSFET 分成沒有預置通道的空乏型與有預置通道的增強型
(D)主要可分成 JFET 及 MOSFET

36(D).

36. 有關雙極性接面電晶體(BJT)共射極(CE)、共集極(CC)及共基極(CB)組態放大電路特性之比較，下列何者有誤？
(A)功率增益：CE ＞ CB ＞ CC
(B)輸出阻抗：CB ＞ CE ＞ CC
(C)輸入阻抗：CC ＞ CE ＞ CB
(D)電壓增益：CB ＞ CC ＞ CE

37(D).

37. 有關場效電晶體(FET)與雙極性接面電晶體(BJT)之比較，下列敘述何者正確？
(A) FET 的輸入阻抗較 BJT 低
(B) BJT 比 FET 適合應用於超大型積體電路
(C) BJT 的熱穩定性較 FET 好
(D) FET 增益與頻寬的乘積較 BJT 小

38(C).

38. 有關差動放大器增益與共模拒斥比(CMRR)之敘述，下列何者正確？
(A) A_cm (共模增益)越大越好
(B) A_d (差模增益)越小越好
(C)理想 CMRR 為無窮大
(D) CMRR 越小越能抑制雜訊

39(A).

39. 串級放大器相對於單級放大器，有關前者之增益與頻寬，下列敘述何者正確？
(A)增益變大，頻寬變窄
(B)增益變大，頻寬變寬
(C)增益變小，頻寬不變
(D)增益變小，頻寬變窄

40(D).

40. 下列何者不是達靈頓(Darlington)放大電路之特點？
(A)輸入阻抗高
(B)輸出阻抗低
(C)電流增益高
(D)電壓增益高

41(B).

41. 雙極性接面電晶體(BJT)運作於主動模式，熱電壓 V_T = 25 mV，基極直流電 I_B = 10 μA， β = 99，試求室溫下交流等效電阻 r_π 為何？
(A) 1 kΩ
(B) 2.5 kΩ
(C) 5 kΩ
(D) 25 kΩ

42(D).

42. 電晶體共射極放大電路於射極電阻 R_E 增加一射極旁路電容 C_E，其主要功用為下列何者？
(A)濾波功能
(B)防止直流電通過
(C)防止短路
(D)提高電壓增益

43(B).

43. 有一 n 通道接面場效電晶體(JFET)之汲極電流 I_DSS = 4 mA，其中 V_GS(OFF) = ‐4 V，當 JFET 運作於 V_GS = ‐2 V 時，試求順向轉移互導 g_m 為何？
(A) 0.5 mƱ
(B) 1 mƱ
(C) 1.5 mƱ
(D) 2 mƱ

44(B).

44. 有一 n 通道空乏型金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)運作於夾止飽和區，其導電參數 K = 0.5 mA/V²，若直流工作點之汲極電流為 I_D=8 mA，試求 g_m 為何？
(A) 2 mS
(B) 4 mS
(C) 6 mS
(D) 8 mS

45(D).

45. 在矽半導體材料中摻入五價雜質，其半導體類型、電性及內部多數載子之敘述，下列何者正確？
(A) p型半導體、正電、電洞
(B) p型半導體、電中性、電洞
(C) n型半導體、負電、電子
(D) n型半導體、電中性、電子

46(B).

46. 有一 p 通道增強型金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)，其參數 K = 0.5 mA⁄ V²，臨界電壓 V_T= -2 V，試求 V_GS= -4 V 時，ID 值為何？
(A) 0 mA
(B) 2 mA
(C) 4.5 mA
(D) 6 mA

47(A).

47. 雙極性接面電晶體(BJT)共射極(CE)組態中，小訊號電源是經由一個耦合電容 CC 進入基極，該電容 CC 之主要功能為何？
(A)阻隔直流
(B)使電流增益變大
(C)阻隔交流信號
(D)使電壓增益變大

48(B).

48. 有關功率放大器的特性分成 A 類、B 類、AB 類及 C 類，下列敘述何者有誤？
(A) A 類放大器的工作操作點定於負載線中點
(B) B 類放大器的失真程度最小
(C) AB 類放大器的工作操作點介於 A 類及 B 類放大器之間
(D) C 類放大器的工作操作點定於截止區之下