1 圖示為理想運算放大器之電路，R₁ = R₂= R₃ = R₄ = 1 kΩ、 ，試求輸出電壓 為若干 V？
(A)-2 
(B)-1
(C)0 
(D)1 

4 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度， 此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 。試由此結構剖面判斷此電晶體的汲極（Drain）是那一個接點？
(A) 接點
(B) 接點層層
(C) 接點層層
(D) 接點層層層

5 有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓 的波形如下所示，
，假設兩個電晶體 的特性參數一致，即通道導通臨界電壓（threshold voltage）的絕對值均為 |Vth| = 0.5 V，相同的轉導值（transconductance）與幾何參數，亦即 。試研判電晶體 QP 在時間 t1 最可能的工作模式？
(A)飽和模式（Saturation mode）
(B)線性模式（Linear mode）
(C)次臨界模式（Subthreshold mode） 
(D)截止模式（Cut-off mode）

7 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 的電壓波形如下所示， ，電晶體電流增益 。試研判電晶體 Q₂ 的集極電流（collector current）比較高的時間點。
(A) 0 與 t₁
(B)0與T
(C) t₁ 與 t₂
(D) T 與 t₂ 

8 欲使下圖的二極體元件順向導通，下列何種方法正確？
(A) A 腳應施加比 B 腳更高電壓，使電子由 A 腳流向 B 腳
(B) A 腳應施加比 B 腳更低電壓，使電子由 A 腳流向 B 腳
(C) A 腳應施加比 B 腳更高電壓，使電流由 A 腳流向 B 腳
(D) A 腳應施加比 B 腳更低電壓，使電流由 A 腳流向 B 腳

9 如圖中 NPN 雙極性電晶體，β=100。假設電晶體基射極的順偏電壓為 0.7 V，飽和時的集射極電壓為 0.3 V。問此電路集射極電壓與下列何值最為接近？
(A) 0.3 V 
(B) 0.7 V
(C) 0.9 V 
(D) 3.0 V 

10 如圖所示為一 CMOS 反相器在輸入端與輸出端之間接上 1 MΩ 之電阻作為放大器之用。若兩個電晶 體 特性相同；其小訊號轉導 ，則小訊號輸入電阻約為多少？
(A) 20 kΩ 
(B) 24 kΩ
(C) 48 kΩ
(D) 1 MΩ  

12 如圖為雙極性差動式放大器，已知電晶體 的基極電阻 、射極電阻 、轉導 、共基極電流增益 α 和共射極電流增益 β 均相同，試求輸入阻抗 = ？
(A)
(B)
(C)
(D)

13 如圖所示，兩個由二極體-電容器所構成之倍壓電路（變壓器及二極體均視為理想） ，變壓器均輸入相 同的弦波信號，電容器 C₁~C₄ 所跨電壓 間之關聯性在下列選項中何者正確？

(A)
(B)
(C)
(D)

14 如圖所示為理想箝位器，其輸入電壓 vi(t)為介於 伏特與 伏特的矩形週期波。若電容器跨壓為 9 伏特且輸出信號 的最大值為 12 伏特，求 之值？
(A)-3 V
(B)3V
(C)6V
(D)9V

15 將弦波信號輸入由二極體-電阻構成之半波整流電路（二極體視為理想）後，得到輸出信號 的峰值 電壓 ，有關該 的有效值電壓 伏特、平均值電壓 伏特，及漣波電 壓峰對峰值 伏特，漣波因素= r %等之敘述，下列何者均正確？
(A) A=8.48，B=3.82
(B) B=3.82，C=12
(C) C=12，r=50
(D) r=50，A=6

16 如圖所示之電路，假如二極體之壓降為 0.7 V，求二極體之逆向峰值電壓（PIV）為何？
(A) 10 V
(B) 12.74 V
(C) 13.44 V
(D) 14.14 V

17 如圖所示之電路，假設二極體之壓降為 0.7 V，求其輸出電壓 之漣波電壓（ripple voltage）值為何？
(A) 11.47 V
(B) 5.83 V
(C) 3.57 V
(D) 0.68 V 

18 當輸入電壓 ，求此電路的輸出電壓 為何？假設二極體的開啟電壓（turn-on voltage） 為 0.8 V。
(A)-4.2 V
(B)-5 V
(C)-2 V
(D)-1.2 V

19 下列敘述對於如圖所示二極體的整流電路何者正確？
(A) 的漣波（ripple）大小反比於
(B) 的漣波（ripple）大小正比於
(C) 的漣波（ripple）大小正比於  的頻率
(D) 的漣波（ripple）大小反比於二極體的開啟電壓（turn-on voltage）

20 如圖所示之箝位電路，已知電壓 為 11V，電阻 R = 1kΩ、 ，並假設理想稽納二極體的崩潰 導通電壓 ，則流過電阻 之電流為何？
(A) 0 mA
(B) 2.75 mA
(C) 5.5 mA
(D) 11 mA

21 如圖所示之理想二極體電路，若 ，V₁ = 2 V、V₂ = -2 V、V₃ = 4 V，則流經電阻的電流為何？
(A) 1 mA
(B) 2 mA
(C) 3 mA
(D) 4 mA IL

22 下圖電路中輸入信號為弦波 ， 伏特 ，二極體 D₁ 與 D₂ 之導通電壓均為 0.7 伏特，導 通電阻均為 0 Ω。電壓 最大值為多少伏特？
(A)5
(B) 2.7
(C) 2.3
(D)0

23 如圖所示之放大器電路，假設此電路之直流偏壓電流為 1 mA，電晶體 M₁ 與 M₂ 之參數如下： ， 且 ；求此放大器電路之小信號輸出電阻 之值為何？
(A) 619 Ω
(B) 719 Ω
(C) 819 Ω
(D) 919 Ω out vin

24 如圖所示之回授偏壓共源極放大器之增益（ ）為何？假設汲極電流 ，MOSFET 的 。
(A)-3
(B)-4
(C)-5
(D)-6

25 於 BJT 的小訊號模型中，下列敘述何者錯誤？
(A)轉導 與集極電流成正比
(B)輸出電阻 與集極電流成正比
(C)輸入電阻 與電流增益(β)成正比
(D)輸入電阻 與基極電流成反比

26 如圖所示為一共源極放大器及其偏壓電路，電晶體操作在飽和區，其汲極電流 為何？
(A) 15 mA
(B) 25 mA
(C) 35 mA
(D) 45 mA

29 若雙極性電晶體（BJT）的 值為 10 nA，而其 為 1 μA，試求此電晶體的 β 值約為：
(A) 0.01
(B) 10
(C) 100
(D) 150

30 如圖所示之電晶體偏壓電路，是屬於何種組態電路？
(A)共源極
(B)共射極
(C)共基極
(D)共集極

31 如圖所示之電晶體放大電路，基-射極接面於導通時所跨電壓視為定值（0.6 V） ，求輸出電壓 VO 約為 多少？
(A) 1.2 V
(B) 4.8 V
(C)6V
(D) 7.2 V

34 圖示運算放大器組成的電路， 為輸出波形，本電路為：
(A)反相放大器
(B)同相放大器 
(C)調諧放大器  
(D)雙穩態電路 

35 有關圖示電路之敘述，下列何者正確？
(A)調諧放大電路
(B)低通電路 
(C)緩衝器電路
(D)無穩態電路 

36 圖示電路，當電路正常工作時，電壓 的波形為何？
(A)弦波
(B)方波
(C)三角波 
(D)階梯波 

39 如圖所示為一用理想的 OP AMP 組成之相移振盪器（phase-shift oscillator）。設 R = 10 kΩ，C=16 nF， K =20，求振盪頻率（選最接近之值）？
(A) 573 Hz
(B) 994 Hz 
(C) 3610 Hz
(D) 6250 Hz 

40 已知一運算放大器（OPA）的直流增益為 100 dB 及其-3 dB 的頻寬 ，試問在頻率 時，該 OPA 的相位角為多少度？
(A)+90 度
(B)-90 度
(C)+45 度
(D)-45 度