試卷測驗 - 112 年 - 112 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機(一)、電機(二)、儀電：電路學、電子學#116960-阿摩線上測驗

阿摩：寶劍鋒從磨礪出，梅花香自苦寒來

4分

(39 秒)

模式:試卷模式
試卷測驗 - 112 年 - 112 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機(一)、電機(二)、儀電：電路學、電子學#116960

繼續測驗

再次測驗下載

下載收錄

1(B).

1. 如右圖所示之電路圖，若 V_x= -25 V，請問 α 值為何？

(A) 0.5
(B) 0.6
(C) 0.7
(D) 0.8

2(B).

2. 如右圖所示之電路圖，請問 i₁ 與 V₁ 值分別為何？

(A) i₁ = 25 μA、V₁ = -2 V
(B) i₁ = 30 μA、V₁= -3 V
(C) i₁ = 15 μA、V₁= 3 V
(D) i₁= 25 μA、V₁ = 2 V

3(　).

3. 如右圖所示之基本理想電路元件電路圖，在 t ＜ 0 時， Vሺtሻ 及 i(t) 皆為 0，在 t<0時，分別為 V(t)= 75 -75e^-1000t(V)及 i(t) = 50e^-1000t(mA) ，請問供輸至電路的最大功率(P_max)發生於何時？
(A) t = 0.183 ms
(B) t = 0.397 ms
(C) t = 0.465 ms
(D) t = 0.693 ms

4(B).

4. 有一電感器為 2 H，初始電流為 20 A，請問儲存於電感器中之初始能量為何？
(A) 100 J
(B) 200 J
(C) 400 J
(D) 800 J

5(　).

5. 如右圖所示之電路圖，若 i₁= 4 A，請問 R 值為何？

(A) 1.2 Ω
(B) 1.6 Ω
(C) 2.5 Ω
(D) 3.2 Ω

6(　).

6. 如右圖所示之電路圖，請問 V_o值為何？

(A) 5 V
(B) 15 V
(C) 20 V
(D) 25 V

7(　).

7. 如右圖所示之電路圖，請問 V 值為何？

(A) 10 V
(B) 15 V
(C) 25 V
(D) 35 V

8(　).

8. 如右圖所示之電路圖，若 V_s = 50 V，請問 i₁值為何？

(A) 3 A
(B) 4 A
(C) 5 A
(D) 6 A

9(　).

9. 如右圖所示之電路圖，若利用迴路電流分析法(Mesh Current Analysis)，請問 V_Φ 與 i_a值分別為何？

(A) V_Φ= 20 V、i_a= 15 A
(B) V_Φ = 25 V、i_a = 15 A
(C) V_Φ = 15 V、i_a = 10 A
(D) V_Φ = 20 V、i_a = 10 A

10(　).

10. 如右圖所示之電路圖，V_s = 2∠0° V，ω = 10⁶ rad/s，R₁ = 5 kΩ，R₂= 100 kΩ，R₃= 20 kΩ， C₁ = 0.1 nF，C₂ = 0.01 nF，請問 V_o值為何？

(A)  V_o = 7.56cos(10⁶t + 79.09°) V
(B)  V_o = 8.46cos(10⁶t +  36.17° )V
(C)  V_o = 9.26cos(10⁶t  + 53.16° ) V
(D)  V_o = 10.87cos(10⁶t + 45°) V

11(　).

11. 如右圖所示之電路圖，請問戴維寧等效電壓(V_th)與電阻(ܴR_th) 分別為何？

(A) V_th = 20 V、ܴR_th = 25 Ω
(B) V_th = 40 V、ܴR_th = 20 Ω
(C) V_th = 30 V、ܴR_th = 25 Ω
(D) V_th= 30 V、ܴR_th = 20 Ω

12(　).

12. 有一反向放大器輸入電壓為 V_s，增益為 -12，且使用 േ15 V 電源，若使該反向放大器能維持在線性區，請問 Vs 範圍為何？
(A) V_s ≥ 1.25 V
(B) V_s ≥ 1.25 V或 V_s ≤ -1.25 V
(C) V_s ≥ 15 V或 V_s ≤ -15 V
(D) V_s ≤ -1.25 V

13(　).

13. 有關理想的運算放大器，下列敘述何者有誤？
(A)輸出電阻無限大
(B)開迴路增益無限大
(C)輸入電阻無限大
(D)輸出電阻為零

14(　).

14. 請問 RL 電路之時間常數(τ)為何？
(A) L / R
(B) R / L
(C) R ൈ L
(D) R + L

15(　).

15. 如右圖所示之電路圖，流經電感器 L₁(5H) 及 L₂(20H) 之初始電流分別為 i₁ = 8 A 及 i₂ = 4 A，且 i₃ 流經 10 Ω，若在 t = 0 時扳開開關，請問 t≥ 0 時 i₃ 值為何？

(A) 1.64e^-2t A
(B) 2.42e^-2tA
(C) 3.6e^-2tA
(D) 5.76e^-2t A

16(　).

【已刪除】

16. 如右圖所示之電路圖，若 i1 = 10 mA，請問 R 值為何？

(A) 2 kΩ
(B) 3 kΩ
(C) 4 kΩ
(D) 5 kΩ
(E)一律給分

17(　).

17. 請問下列何者為 RLC 並聯電路特徵方程式？
(A)
(B)
(C)
(D)

18(　).

18. 如右圖所示之電路圖，開關已扳開許久，在 t = 0 時開關閉合，請問 t≥0 時之 V(t) 值為何？

(A) 15e^-50t V
(B) 15e^-12.5tV
(C) 20e^-12.5t V
(D) 20e^-50t V

19(　).

19. 有一 RLC 並聯電路，R = 200 Ω，L = 50 mH，C = 0.2 μF，請問該電路之納頻率(Neper Frequency，α) 及諧振弳頻率(Resonant Radian Frequency，ω₀)分別為何？(單位：rad / s)
(A) α = 2.5 × 10³ 、ω₀ = 2 ×10⁸
(B) α = 2.5 × 10³ 、ω₀ = 2 × 10⁴
(C) α = 1.25 × 10⁴ 、ω₀ = 10⁸
(D) α = 1.25 × 10⁴ 、ω₀ = 10⁴

20(　).

20. 如右圖所示之電路圖，開關已在 a 位置許久，在 t = 0 的瞬間由 a 位置扳到 b 位置，請問 i、V₁及 V₂ 在 s 域中之有理函數分別為何？

(A) i = 0.02 / (s + 1600)、V₁ = 80 / (s + 1600)、V₂ = 20 / (s + 1600)
(B) i = 0.2 / (s + 1600)、V₁ = 8 / (s + 1600)、V₂ = 2 / (s + 1600)
(C) i = 0.02 / (s + 1250)、V₁= 80 / (s + 1250)、V₂ = 20 / (s + 1250)
(D) i = 0.02 / (s + 1250)、V₁ = 20 / (s + 1250)、V₂ = 80 / (s + 1250)

21(　).

21. 有一 RLC 串聯電路，R = 90 Ω，L = 32 mH，C = 5 μF，串聯於Vs=750cos(5000t+30°)電壓源兩端，請問該電路之電流 is 為何？
(A) 5cos(5000t-30° ) A
(B) 5cos(5000t+53.07° )A
(C) 5cos(5000t+ 30° )A
(D) 5cos(5000t-23.13° ) A

22(　).

22. 如右圖所示之電路圖，請問a、b之間的戴維寧等效電壓(V_th)及阻抗(Z_th)分別為何？

(A) V_th= 10∠45° V、Z_th = 5 - j5 Ω
(B) V_th= 10∠-45° V、Z_th = 5 + j5 Ω
(C) V_th = 5∠45° V、Z_th = 5 + j5 Ω
(D) V_th = 5∠-45° V、Z_th = 5 - j5 Ω

23(　).

23. 假設一拉氏函數為，請利用反拉氏轉換求出 f(t) 為何？
(A)
(B)
(C)
(D)

24(　).

24. 如右圖所示之電路圖，下列何者為該電路之轉移函數？
(A)
(B)
(C)
(D)

25(　).

25. 如右圖所示之雙埠電路圖，下列何者為該電路之 z 參數值？

(A) z₁₁ = 5 Ω、z₂₁ = 7.5 Ω、z₂₂ = 10 Ω、z₁₂ = 10 Ω
(B) z₁₁= 10 Ω、z₂₁ = 10 Ω、z₂₂ = 12.5 Ω、z₁₂= 15 Ω
(C) z₁₁ = 10 Ω、z₂₁ = 7.5 Ω、z₂₂ = 9.375 Ω、z₁₂ = 7.5 Ω
(D) z₁₁= 5 Ω、z₂₁ = 12.5 Ω、z₂₂ = 9.375 Ω、z₁₂ = 7.5 Ω

26(　).

26. 霍爾效應(Hall Effect)使用在半導體測試中，主要用來決定下列何者？
(A)半導體內電流
(B)半導體型式(n或p)
(C)半導體內磁場
(D)半導體溫度

27(　).

27. 有一理想矽質 PN 接面的二極體，在溫度為 18 °C時(V_T = 25 mV)，其逆向偏壓的飽和電流為 I_S = 2 ✖10^-14 A 且 n = 1，請問在順向偏壓 +0.6 V時的電流值為何？
(A) 0.53 mA
(B) 1.06 mA
(C) 1.44 mA
(D) 2.88 mA

28(　).

28. 有關 PN 接面的二極體，下列敘述何者有誤？
(A)矽二極體的障壁電壓(Barrier Potential)較鍺二極體高
(B)二極體加順向偏壓後，空乏區變窄
(C)溫度上升時，障壁電壓上升
(D)溫度上升時，漏電流上升

29(　).

29. 如右圖所示之二極體電路圖，若各二極體均為理想二極體，下列敘述何者有誤？

(A)當V_I= 0 V時，V_A= 4 V，V_O = 4 V
(B)當V_I = 6 V時，V_A = 6 V，V_O = 6 V
(C)當V_I = 8 V時，V_A = 8 V，V_O= 8 V
(D)當V_I = 12 V時，V_A = 12 V，V_O= 12 V

30(　).

30. 一般 BJT 電晶體作為線性放大器，電晶體必須施加適當偏壓，使工作點(Operation Point)落在下列何種區域，可獲得較佳之放大倍率？
(A)作用區(Active Region)
(B)反向作用區(Reversed Active Region)
(C)截止區(Cut-off Region)
(D)飽和區(Saturation Region)

31(　).

31. 如右圖所示之 BJT 電晶體分壓器偏壓電路圖，若電晶體 β_DC = 80， V_BE = 0.7 V，請問 V_C為何？

(A) 2 V
(B) 4.3 V
(C) 5 V
(D) 8.6 V

32(　).

32. 有關 BJT 與 FET 之比較，下列敘述何者正確？
(A) BJT 製作面積比 FET 小
(B)一般來說，FET 作為放大器的雜訊較大
(C) BJT 是雙載子元件，FET 是單載子元件
(D) FET 不會發生爾利效應(Early Effect)

33(　).

33. 有一 BJT 在環境溫度為 25 ℃時，具最大散熱功率 PDO 為 2 W，最大接面溫度為 150 ℃，請問當環境溫度上升至 50 ℃時，可安全散熱之最大功率為何？
(A) 1.2 W
(B) 1.6 W
(C) 2 W
(D) 2.4 W

34(　).

34. 有關如何有效降低增強型 NMOS 電晶體的 V_T(Threshold Voltage)值，下列敘述何者正確？
(A)降低基體(Substrate)的濃度(N_A)
(B)降低源極(Source)區域的濃度(N_D)
(C)降低汲極(Drain)區域的濃度(N_D)
(D)降低閘極(Gate)區域的ɛox/t_ox(ɛ_ox：矽氧化層的電容介電係數；t_ox：矽氧化層的厚度)

35(　).

35. 有關 MOSFET 之敘述，下述何者有誤？
(A)增強型 n 通道 MOSFET 之臨界電壓值為正
(B)增強型 p 通道 MOSFET 之V_GS若接正電壓，則無法建立通道
(C)空乏型 n 通道 MOSFET 之V_GS可接正電壓或負電壓
(D)空乏型 MOSFET 本身結構中並無預設通道存在

36(　).

36. 有關 JFET 自給偏壓(Self-Bias)電路，若希望工作點(Operating Point)設定在轉換特性曲線的中點，意即 I_D = I_DSS，下列哪一種方式可達成？
(A) V_GS = V_GS(off) ⁄ 2
(B) V_D = V_DD ⁄ 2
(C) V_GS = V_GS(off) ⁄ 3.4
(D) V_D = V_DD ⁄ 3.4

37(　).

37. 有一空乏型 n 通道 MOSFET，K_n ' W L = 2 mA V² ⁄ ⁄ ，V_t= -3 V，其源極與閘極均接地。下列敘述何者有誤？(忽略通道長度調變效應)
(A)當V_D = 0.1 V，操作區為三極管區(Triode Region)，I_D = 0.59 mA
(B)當V _D = 1 V，操作區為三極管區(Triode Region)，I_D = 5 mA
(C)當V_D = 3 V，操作區為飽和區(Saturation Region)，I_D = 9 mA
(D)當V_D= 5 V，操作區為飽和區(Saturation Region)，I_D = 10 mA

38(　).

38. 有關 MOS 電流鏡和 BJT 電流鏡的比較，下列敘述何者有誤？
(A) MOS 電流鏡無 β 效應(有限 β 值效應)
(B)通常 MOS 電流鏡的VOmin = V_GS − V_t= V_OV比 BJT 電流鏡的V_Omin= V_CEsat大
(C) MOS 電流鏡 r_o 的影響比 BJT 電流鏡小(有限 r_o值效應)
(D) Wilson 電流鏡的電路可降低 BJT 電流鏡有限 β 值效應及增加輸出電阻值

39(　).

39. 如右圖所示之主動負載 CE 放大器，定電流源 I 由一 PNP 電晶體組成。令 I ＝ 0.2 mA，兩電晶體之 |VA| ＝ 40 V，β ＝ 200，V_T= 25 mV，下列敘述何者有誤？

(A) R_i = 25.13 KΩ
(B) r_o = 400 KΩ
(C) g_m = 8 mA / V
(D) 電壓增益 A_v為 -800

40(　).

40. 如右圖所示之電流轉換器電路圖，所有電晶體 β = 80，假設二極體與電晶體飽和電流 I_S 相同，V_T = 25 mV，n = 1，V_S = 2 V ，R = 1 KΩ，請問 I_o 為何？

(A) 1.93 mA
(B) 1.95 mA
(C) 1.97 mA
(D) 1.99 mA

41(　).

41. 有一個一階運算放大器，其直流增益為 10⁶ ，且有一極點於 10 rad/s 時，零點為無窮大，若使用電阻將其組成非反向放大器，直流增益為 100，請問非反向放大器之極點為何？
(A) 10 rad/s
(B) 10² rad/s
(C) 10⁵ rad/s
(D) 10⁶ rad/s

42(　).

42. 請問下列多級放大器耦合類別中，最佳低頻響應為何？
(A)電阻電容耦合
(B)直接耦合
(C)變壓器耦合
(D)電感耦合

43(　).

43. 如右圖所示之簡單音頻放大器電路圖，若要得到較低的轉角頻率 fL = 50 Hz，請問 C 耦合電容值為何？

(A) 0.0191 μF
(B) 0.0477 μF
(C) 0.191 μF
(D) 0.477 μF

44(　).

44. 有關負回授與非負回授運算放大器之比較，下列敘述何者有誤？
(A)負回授運算放大器輸入與輸出電壓呈現 180°反相
(B)負回授運算放大器可提高閉迴路電壓增益
(C)負回授運算放大器可依需求調整電路以達到控制輸入、輸出阻抗之目的
(D)負回授運算放大器可得到較大的頻寬

45(　).

45. 如右圖所示之並聯-串聯式(Shunt-Series)負回授放大電路，電晶體參數 g_m1 = g_m2 = 6 mA/V，若忽略爾利效應(Early Effect)及基體效應 (Body Effect)，電阻 R_S = R_D = 10 KΩ 及 R_F = 80 KΩ，請問電流放大倍數 A_f= I_o / I_s為何？

(A) -5.9
(B) -8.9
(C) -12.9
(D) -15.9