1(B).8. 下列有關「半導體」製程之敘述,何者正確?
(A)乾式蝕刻比濕式蝕刻容易造成二氧化矽的過切問題
(B)蝕刻是將晶圓上未受光阻保護之氧化膜移除
(C)矽是半導體,如果摻雜硼或磷之後,就會變成導體
(D)微影製程通常是不需要經過光罩曝光就可以完成
2(C).50. 一物體自靜止開始作等加速度運動,設第1秒行經6m,最後1秒行經全程的9/25,則全程為:
(A) 90m
(B) 125m
(C) 150m
(D) 180m
今日錯題測驗-機械常識-阿摩線上測驗
CPC staff剛剛做了阿摩測驗,考了100分