1(B).6.有關鍺(Ge)半導體偵檢器與NaI(I的Kα=28 keV)閃爍偵檢器,量測Cs-137之加馬能譜(光電峰出現在662 keV處),下列敘述何者正確?
(A)回散射(backscatter)峰出現之能量位置均高於康普吞邊緣(Compton edge)
(B)康普吞邊緣(Compton edge)出現之能量位置均相同(478 keV)
(C)因I原子序較Ge大,偵測材料體積相同時,Ge半導體偵檢器量測到的逃逸(escape)峰,將較NaI閃爍偵檢
器有較大豐度
(D)因I原子序較Ge大,Ge半導體偵檢器量測到的逃逸(escape)峰,將較NaI閃爍偵檢器之能量低
今日錯題測驗-醫學物理學與輻射安全-阿摩線上測驗
julianchu剛剛做了阿摩測驗,考了100分