試卷測驗 - 101 年 - 101 台灣中油股份有限公司_雇用人員甄選_儀電類：電工原理、電子概論#71754-阿摩線上測驗

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試卷測驗 - 101 年 - 101 台灣中油股份有限公司_雇用人員甄選_儀電類：電工原理、電子概論#71754

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1(C).

1.有一 150 V 之直流電壓表，其內阻為 18 KΩ，今若串聯一 54 KΩ 電阻，則量度範圍將可擴大到：
(A)300 V
(B)450 V
(C)600 V
(D) 750 V

2(C).

2. 100 歐姆電阻器，通過 2 安培電流 1 分鐘，則產生的熱量 H 為：
(A) 96 卡
(B) 400 卡
(C) 5760 卡
(D)24000 卡

3(D).

3.如【圖 3】所示，通過 2KΩ 電阻的電流為：
(A) 0
(B) 3 mA
(C) 6 mA
(D) 12 mA phpi7jz45

4(C).

4.如【圖 4】所示，電流源與電壓源之轉換，E 的大小為：
(A)3 V
(B) 6 V
(C) 12 V
(D) 18 V phpv27gmm

5(B).

5.將一 3 庫倫電荷置於電場中的某一點，受到 18 牛頓的作用力，則電荷在該點的電場強度為何？
(A)4 牛頓/庫倫
(B) 6 牛頓/庫倫
(C)18 牛頓/庫倫
(D) 54 牛頓/庫倫

6(A).

6.如【圖 6】所示，導體的運動方向為何？
(A)向上
(B)向下
(C)向左
(D)向右 phpoD4HzQ

7(　).

7.有一線圈的自感量為 0.5 亨利，若通過了 4 安培的電流，則線圈所儲存的能量為多少焦耳？
(A) 2
(B) 4
(C) 16
(D) 20

8(　).

8.如【圖 8】所示電路中，開關閉合前，電容器沒有儲存能量，在開關 S 閉合後的瞬間，電流 I 為多少安培？
(A) 0
(B)3
(C) 5
(D) 10 phpX05bPX

9(　).

9. 將 4 庫倫正電荷由 B 點移至 A 點，作功 60 焦耳，若 A 點對地電位為 30 伏特，則 B 點對地為多少伏特？
(A) 15
(B)30
(C) 45
(D) 60

10(　).

10.平衡三相 Y 接電源，相序為正相序(a-b-c)，若線路電壓 phpxoIs4s ，則：

(A) phpAXWziL
(B) phpFcEJMT
(C) phpfNJzFJ
(D) php4tpJje

11(　).

11.小明家客廳有六顆 100 瓦的電燈泡，如果這六顆電燈泡每天點亮 8 小時，每月點 30 天，假設每度（千瓦．小時）電費為 5 元，請問使用此六顆電燈泡，每月須繳多少電費？
(A) 600 元
(B) 720 元
(C) 900 元
(D) 1,200 元

12(　).

12.一般而言，當溫度升高時，大部分的金屬其電阻值將：
(A)不變
(B)減少
(C)增加
(D)不確定

13(　).

13.有一電熱器之額定為 100 V/1250 W，則其等效電阻為多少歐姆？
(A) 16
(B) 12.5
(C) 8
(D) 2.5

14(　).

14.額定為 200 V/2000 W 之均勻電熱線，平均剪成 3 段後再並接於 50 V 的電源，則其總消耗功率為何？
(A)667 W
(B) 875 W
(C) 1125 W
(D)1350 W

15(　).

15.將一電容器加上 12 伏特電源，儲存了6 ×10^-4庫倫的電荷，則此電容器之電容量為：
(A) 20 微法拉
(B) 40 微法拉
(C) 50 微法拉
(D) 72 微法拉

16(　).

16.下列何者不是磁通Φ的單位？
(A)線
(B)馬克斯威
(C)高斯(Gauss)
(D)韋伯(Wb)

17(　).

17.一理想電流源，其內阻應該為：
(A)零
(B)無限大
(C)隨負載電阻而定
(D)任意值

18(　).

18.一陶瓷電容器標示 103 M，則其電容器為：
(A) 0.01 µF±20%
(B) 0.01 µF±10%
(C) 0.1 µF±20%
(D) 1.03 µF

19(　).

19.有兩個交流訊號分別為 v(t)＝60sin(377t＋30°) V 和 i(t)＝40sin(377t－10°) A，此兩個交流訊號的相位關係為何？
(A) v 領先 i 20°
(B) v 滯後 i 20°
(C) v 領先 i 40°
(D) v 滯後 i 40°

20(　).

20. R － C 串聯電路中，若 R ＝400 kΩ，C ＝0.5 µF，則時間常數 τ 為何？
(A)5 秒
(B) 0.5 秒
(C)0.2 秒
(D)0.02 秒

21(　).

21.有一個電源的瞬時電壓表示式為 V(t) ＝110 sin(377t+50°)V，則下列何者錯誤？
(A)頻率為 60 Hz
(B)波形為正弦波
(C)有效值為 110 V
(D)角速度為 377 弳/秒

22(　).

22.有一波形電壓峰對峰值 VP-P (Peak-to-Peak Value) 為 311 V 之正弦波，則此波形的有效值為：
(A) 110 V
(B) 155.5 V
(C) 220 V
(D) 311 V

23(　).

23.有一電源的電壓瞬時式方程式為 V(t) ＝200sin(377t －120°) V，則 t＝(1/60)秒時的瞬間電壓為多少？
(A)100 V
(B) -100 V
(C) 173.2 V
(D) -173.2 V

24(　).

24.有關半導體摻雜(doping)的敘述，下列何者錯誤？
(A)摻雜濃度越高的半導體導電性越好
(B)摻雜 3 價的半導體中，自由電子的數量＞電洞的數量
(C)摻雜 3 價的元素：硼
(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)
(D)摻雜 3 價的受體(Acceptor)後，會形成 P 型半導體

25(　).

25. RC 耦合的串級放大器中，造成低頻響應不良的原因為何？
(A)電晶體的極際電容所造成
(B)電路的雜散電容所造成
(C)耦合電容與旁路電容
(D)線路電壓降過大

26(　).

26.有關二極體的逆向飽和電流(Reverse Saturation Current)之相關敘述，下列何者正確？
(A)是由少數載子及多數載子所形成
(B)逆向飽和電流的大小與外加的偏壓有關
(C)溫度越高逆向飽和電流越小
(D)溫度每上升 10℃，電流增加 100%

27(　).

27.橋式整流器會有幾隻接腳？內部又有幾個二極體所組成？
(A) 3 支接腳；2 個二極體
(B) 3 支接腳；4 個二極體
(C) 4 支接腳；4 個二極體
(D)4 支接腳；5 個二極體

28(　).

28.雙極性電晶體（Biopolar Junction Transistor 簡稱 BJT）的構造中，何者的濃度最高？
(A)集極(Collector)
(B)射極(Emitter)
(C)閘極(Gate)
(D)基極(Base)

29(　).

29.雙極性電晶體（Biopolar Junction Transistor 簡稱 BJT）的共基極組態(CB)放大電路之交流輸入接腳，其中一支輸入接腳為共用腳，而另一支輸入接腳是哪一極？
(A)集極(Collector)
(B)射極(Emitter)
(C)基極(Base)
(D)閘極(Gate)

30(　).

30.如【圖 30】的金氧半場效應電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Tranisitor，簡稱 MOSFET），若要操作在飽和區，則下列何者的偏壓方式可以達到？

(A)V_GS＜ 0，V_DS＜ 0
(B)V_GS＞ 0，V_DS＞ 0
(C)V_GS＜ 0，V_DS＞ 0
(D) V_GS＞ 0，V_DS＜ 0 phproYcK9

31(　).

31. 如【圖 31】所示為一 OPA 振盪電路，下列敘述何者錯誤？
(A)輸出點 Vo 可得一方波訊號
(B)當電容值C 增大時，可以增加振盪週期
(C)當電阻值R2 增大時，振盪頻率增加
(D)當電阻值R1 增大時，振盪頻率增加 phpYzGgge

32(　).

32.如【圖 32】所示之電路中，電容器 C_E的主要功能為何？
(A)穩定直流工作點
(B)減少電晶體的漏電流
(C)提高電路的交流增益
(D)提供電晶體溫度補償 phpzc2HJs

33(　).

33.有一個二極體半波整流電路，輸入訊號為 V(t)=10sin6280t 伏特，則輸出平均值電壓約為多少伏特？
(A) 0 V
(B) 3.18 V
(C)6.36 V
(D)10 V

34(　).

34.接合面場效應電晶體（Juntion Field Effect Tranisitor 簡稱 JFET）欲控制通道的電流大小，主要是控制下列何者？
(A)通道中載子的濃度
(B)通道之導電係數
(C)通道的寬度
(D)由閘極感應的電荷形成通道

35(　).

35.已知 MOSFET 的特性之敘述，下列何者錯誤？
(A)N 通道增強型 MOSFET 當閘源極電壓VGS ＞臨界電壓 Vt 時，產生 ID 電流
(B) P 通道空乏型 MOSFET 之閘源極電壓VGS 可接負電壓或正電壓
(C)N 通道增強型 MOSFET 之臨界電壓(Vt)為負值
(D)增強型 MOSFET 半導體結構上沒有預設通道

36(　).

36.有關運算放大器(OPA)之敘述，下列何者錯誤？
(A)理想運算放大器的開迴路增益為無窮大
(B)理想運算放大器的輸入阻抗為無窮大
(C)理想運算放大器在正回授系統中具有虛短路的特性
(D)理想運算放大器的輸入抵補電壓為零

37(　).

37.如【圖 37】所示之二極體截波電路，倘若二極體視為理想，Vi(t)=5sin6280t 伏特，V₁ = 6V，V₂ = 4V，請問輸出電壓 Vo 範圍？
(A)-4 V~6 V
(B) -6V~4V
(C) -4 V~5 V
(D)-5V~6V phpvwFbkz

38(　).

38.有關 PN 接面的半導體敘述，下列何者錯誤？
(A) P 型半導體的濃度高於 N 型半導體的濃度時，其 P 型側的空乏區寬度較寬
(B)PN 接面的空乏區內P 型側內含有負離子
(C)在逆向偏壓下，PN 接面會形成一空乏電容，其大小與偏壓成反比
(D) PN 接合時，所產生的空乏區將抑制擴散電流

39(　).

39.溫度每上升 1 oC 時，矽二極體的順向偏壓會：
(A)下降 1 mV
(B)下降 2.5 mV
(C)上升 1 mV
(D)上升 2.5 mV

40(　).

40.某電晶體的 α 值為 0.98，請問 β 值為多少？
(A) 9
(B) 29
(C) 49
(D) 98

41(　).

第二部分：【第 41-65 題，每題 2 分，共計 25 題，佔 50 分】

41.有一台 3 馬力的電動機，若已知其損失為 250 瓦特，則此電動機之輸入功率為多少瓦特？
(A) 2238
(B) 2488
(C) 1988
(D)750

42(　).

42.三只電阻器的色碼分別為：甲：黃紫紅金；乙：綠藍金金；丙：棕黑棕金，則三者的電阻值大小為：
(A)甲＞乙＞丙
(B)乙＞甲＞丙
(C)甲＞丙＞乙
(D)丙＞乙＞甲

43(　).

43.如【圖 43】所示 ∆ － Y 互換，圖中 Ra 之電阻值應為：
(A) 0.6 Ω
(B) 1 Ω
(C) 1.5 Ω
(D)5 Ω phplnb6hK

44(　).

44.交流 RLC 串聯電路，若電感抗 X_L大於電容抗 X_C，則此電路的性質為：
(A)電阻性
(B)電感性
(C)電容性
(D)純電容

45(　).

45.有一捲規格為 2 mm ²配線用的導線，長度 100 公尺，材料為標準韌銅（電阻係數 1.724 ×10-8 Ω-m），則此導線之電阻值為：
(A)0.862 Ω
(B) 1.724 Ω
(C)8.62 Ω
(D)17.24 Ω

46(　).

46.電池有內電阻，將 4 個相同的電池串聯，其最大輸出功率為 20 W，若將電池改為並聯，則最大輸出功率為何？
(A)5 W
(B)20 W
(C)40 W
(D) 80 W

47(　).

47.如【圖 47】所示電路中，若要使電阻 R 得到最大功率，則其值為：

(A)2 Ω
(B) 3 Ω
(C) 4 Ω
(D) 7 Ω

48(　).

48.如【圖 48】所示，流經 6Ω 電阻之電流為：

(A) 2 A
(B)3 A
(C)4 A
(D) 6 A

49(　).

49.某電感性負載消耗之平均功率為 1600 W，負載之功率因數為 0.8，則虛功率為多少？
(A)800 KVAR
(B)1200 KVAR
(C) 1600 KVAR
(D) 2000 KVAR

50(　).

50.如【圖 50】所示，電路供給之平均功率為多少瓦特？

(A) 800
(B)1400
(C) 2000
(D)2400

51(　).

51.如【圖 51】所示之直流電路，請問其中 12 V 電源供給之電功率 P 為多少？

(A)180 W
(B)168 W
(C) 156 W
(D)144 W

52(　).

52.有甲、乙兩個燈，額定電壓均是 110 V，甲燈泡額定功率 100 W，乙燈泡額定功率 10 W，今將兩燈泡串聯後，接在 220 V 的電源上，則下列何者情況最可能發生？
(A)甲燈泡先燒壞
(B)乙燈泡先燒壞
(C)甲、乙兩燈泡同時燒壞
(D)甲、乙兩燈泡可正常使用，都不會燒壞

53(　).

53.如【圖 53】所示之電路，電流 I 為何？

(A)1.5 A
(B) 3 A
(C) 5 A
(D) 6 A

54(　).

54.如【圖 54】所示為電晶體偏壓電路，若 Vc 的電壓為 5 V，則下列何者可將 Vc 電壓提高至 6 V ？

(A)電阻RB加大一些
(B)電阻RE減小一些
(C)電阻RC加大一些
(D)換電晶體β值較大些

55(　).

55.如【圖 55】電路中變壓器為減極性，當輸入 Vi為負半週時，輸出 V O的波形無任何波形輸出，則下列敘述何者正確？

(A)D2或D3 故障
(B)D1或D3 故障
(C)D3或D4 故障
(D) D2或D4 故障

56(　).

56.若將雙極性電晶體（Biopolar Junction Transistor 簡稱 BJT）當成線性放大器來使用時，電晶體應該要操作於下列何種工作區域？
(A)主動區
(B)飽和區
(C)截止區
(D)定電流區

57(　).

57.雙極性電晶體交流放大電路中，三種基本組態（共射極組態 CE、共集極組態 CC、共基極組態 CB）的敘述，下列何者正確？
(A) CE 組態的電流增益最大
(B)CB 組態的輸入阻抗最大
(C) CC 組態的電壓增益略小於 1
(D)CE 組態的輸入信號與輸出信號同相位

58(　).

58.如【圖 58】所示，已知稽納二極體 ZD 的崩潰電壓 Vz = 20 V，Iz = 5 mA ～20 mA，若稽納二極體正常穩壓動作，則 IL = 0 ～IL(max)，請問電阻值 R 與最大負載電流 IL(max)為：

(A) R = 16 kΩ，IL(max) = 20 mA
(B)R = 16 kΩ，IL(max) = 15 mA
(C) R = 4 kΩ，IL(max) = 20 mA
(D) R = 4 kΩ，IL(max) = 15 mA

59(　).

59.如【圖 59】所示為二極體倍壓電路，請問輸出電壓 Vo 為幾倍 Vm ？

(A) 0 Vm
(B)1 Vm
(C) 2 Vm
(D) 3 Vm

60(　).

60.如【圖 60】所示為 MOSFET 放大電路，Q1的特性為 Vt = 2 V，K1 = 4 mA/V 2，Q2的特性為 Vt = 2 V，K2 = 1 mA/V2 ，請問此電路之輸出直流準位 Vo 與電壓增益 Av = Vo/Vi 為多少？

(A)Vo = 7 V，Av = –4
(B) Vo = 7 V，Av = –2
(C)Vo = 4 V，Av = –4
(D) Vo = 4 V，Av = –2

61(　).

61.如【圖 61】所示，已知二極體障壁電壓為 0.7 V，請問輸出 Vo 為多少伏特？

(A)2 V
(B) 2.67 V
(C) 3 V
(D)6 V

62(　).

62.有一接合面場效應電晶體（Juntion Field Effect Tranisitor 簡稱 JFET）的汲極飽和電流 IDSS ＝16 mA，夾止電壓 VGS（off）＝-4 V，請問此 JFET 為何種通道？當 VGS ＝-3 V 時的汲極電流 ID 為多少？
(A) P 通道，ID＝4 mA
(B)P 通道，ID＝1 mA
(C) N 通道，ID＝4 mA
(D) N 通道，ID＝1 mA

63(　).

63. N 通道增強型場效應電晶體（簡稱 MOSFET）的臨界電壓(Threshold Voltage)VT＝3 V，若電路中的 VGS ＝4 V 時 ID ＝ 2 mA，且 MOSFET 工作於飽和區，則 MOSFET 交流小信號模型中的轉移電導 g m為多少？
(A)1 mS
(B) 2 mS
(C) 3 mS
(D)4 mS