電子學自由測驗(難度:隨機)-阿摩線上測驗

阿摩：所見所聞，改變一生，不知不覺，斷送一生

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(1 分45 秒)

模式:自由測驗
科目:電子學
難度:隨機

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1(　).

27 有關雙極性接面電晶體的爾利效應（Early effect），下列敘述何者錯誤？
(A)當加大電壓 V_CE 時，I_C 電流會上升
(B)當加大電壓 V_CE 時，逆向偏壓 V_CB會減少
(C)當加大電壓 V_CE 時，基極有效寬度會變窄
(D)爾利效應是描述在主動區（active region）操作時的電流變化

2(　).

25.有關雙極性接面電晶體(BJT)的放大電路的型態，下列何者正確？
(A)共集極放大電路其輸入端為集極，輸出端為射極
(B)共基極放大電路其輸入端為射極，輸出端為集極
(C)共基極放大電路其輸入端為基極，輸出端為射極
(D)共集極放大電路其輸入端為射極，輸出端為基極

3(　).

30 如圖所示，已知齊納（Zener）二極體的V_z＝10V，則負載R_L兩端的電壓應為：
(A) 12V
(B) 10V
(C) 8V
(D) 4V

4(A).

30•與雙極性接面電晶體相比，下列何者不是場效應電晶體(FET)的主要優點？
(A)不易受輻射的影響
(B)操作速度比較快
(C)輸入阻抗高
(D)熱穩定度較佳

5(　).

43.如【圖 43】所示電路，若 V_s=4sinωt V，V_B=2V，二極體可視為理想元件，則輸出電壓 V_o之最高值為何？
(A) 1V
(B) 2V
(C) 3V
(D) 4V

6(　).

17 理想的箝位電路不會改變下列何種數值？
(A)輸入電壓的上峰值
(B)輸入電壓的下峰值
(C)輸入直流位準
(D)輸入電壓的峰對峰值

7(　).

26. 類比式交流電壓表所量測的交流電壓值為下列何者？
(A)平均值
(B)最大值
(C)有效值
(D)波形與頻率

8(　).

23 如圖所示之電路，其中電晶體之參數為 β=100，V_T = 26 mV 且爾利（Early）電壓 V_A =100 V，假定此電路之直流偏壓電流 I_C =0.84 mA，求其小信號輸出電阻 R_O之值為何？
(A)0.72 kΩ
(B)1.41 kΩ
(C)3.54 kΩ
(D)4.67 kΩ

9(　).

29 若雙極性電晶體（BJT）的值為 10 nA，而其為 1 μA，試求此電晶體的 β 值約為：
(A) 0.01
(B) 10
(C) 100
(D) 150

10(B).

1 當二極體於逆向偏壓時，下列敘述何者正確？
(A)空乏區變寬、障壁電位減少
(B)空乏區變寬、障壁電位增加
(C)空乏區變窄、障壁電位減少
(D)空乏區變窄、障壁電位增加

11(　).

29.理想的電源系統，具有某些特定的性能，有關理想電源的敘述，下列何者正確？
(A)理想電壓源內阻抗為無窮大，理想電流源內阻抗為無窮大
(B)理想電壓源內阻抗為無窮大，理想電流源內阻抗為0
(C)理想電壓源內阻抗為0，理想電流源內阻抗為無窮大
(D)理想電壓源內阻抗為0，理想電流源內阻抗為0

12(　).

49.一個理想電壓調整器的輸出阻抗應為：
(A)零
(B)無限大
(C)等於負載電阻
(D)中等大小即可

13(　).

46. PN接面二極體，靠近P型側空乏區內的電荷為？
(A)電中性
(B)正電荷
(C)負電荷
(D)視摻雜濃度而定

14(　).

21 某增強型 NMOS 場效電晶體的 V_t = 1V、μ_nC_ox(W/L)= 25μA/V² ，今若其源極（Source）電壓 0.5V，閘極（Gate）電壓 2.5V，汲極（Drain）電壓 2V，則此電晶體工作在：
(A)飽和區（Saturation Region）
(B)截止區（Cutoff Region）
(C)三極體區（Triode Region）
(D)直線區（Linear Region）

15(　).

32 圖示 PMOS 場效電晶體電路，電晶體之，若，欲電晶體在飽和區工作，電壓的最大值應為若干伏特？
(A)4 V
(B)3.5 V
(C)2.5 V
(D)2 V

16(　).

23 圖示電路，若 V_CC = 10 V，V_CE= 3V，則此電晶體的工作區應為何？
(A)主動區（Active Region）
(B)飽和區（Saturation Region）
(C)三極管區（Triode Region）
(D)截止區（Cutoff）

17(　).

1某一內部補償的運算放大器，其直流開迴路增益為 100 dB，單一增益頻寬（Unity-gain Bandwidth）為 2 MHz，求頻率在 2 kHz 時的開迴路增益？
(A)10 dB
(B)20 dB
(C)30 dB
(D)60 dB

18(　).

25.如【圖 25】所示電路中，若二極體切入電壓為 0.6V，則 Vo 的電壓為何？
(A) 3.9V
(B) 4.25V
(C) 6.1V
(D) 6.4V

19(　).

44.已知由矽為主要材料的NPN電晶體，其BE接面與BC接面的障壁電壓分別為V BE = 0.7 V、V BC = 0.5 V；則當測量到各接腳的電壓分別為（射極2.4 V）、（基極3.4 V）、（集極2.7 V）則該電晶體處於何種工作模式？
(A)截止區模式
(B)線性放大模式
(C)飽和模式
(D)主動區域模式

20(　).

33 如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應，I_C= 1 mA，V_T= 26 mV， β = 100，C_π = 100 f F，C_μ= 20 f F，且 C_CS ＝30 f F，採用米勒（Miller）趨近法，求於 BJT 輸出端之極點頻率為何？（f = 10^-15）
(A)1.58 GHz
(B)2.58 GHz
(C)3.58 GHz
(D)4.58 GHz

21(　).

9 圖中的 LCR 振盪器，當電容 C 值增加 2%時，其振盪頻率 ω₀改變多少？

(A)0.5%
(B)不變
(C)-0.5%
(D)-1%

22(　).

13 如右圖所示，電路使用一個 4X1 多工器可執行下述何交換函數 f (x, y, z)？

(A) Σ(0,2,3,5,7)
(B) Σ f (x, y, z) (0,1,3,7)
(C) Σ(0,2,3,5)
(D) Σ(0,2,3,4,5,7)

23(　).

40 如圖二階低通濾波電路，欲實現具有最大平坦度且 3 dB 頻率為 7.07 × 10⁵ rad/s，當電阻 R 為5kΩ 時，所需的電容 C 值為何？
(A)100 pF
(B)200 pF
(C)500 pF
(D)707 pF

24(　).

6 如圖所示放大器，若電晶體操作於順向主動區（forward active region）且忽略爾利效應（Early effect），V_i為輸入，V_o為輸出，下列敘述何者最正確？

(A)該放大器為同相放大器
(B)增加直流偏壓V_b可增大增益
(C)減低電阻值（R）可增加電晶體電流
(D)提高V_CC可增加增益

25(　).

34 今有一NMOS邏輯反相器（Inverter）的電路如下左圖所示，已知電晶體Q1、Q2特性均相同。此電路之電壓轉移特性（Voltage transfer characteristic）如下右圖所示。在此電壓轉移曲線所標示的四個工作點中：A點為v ＝0 V的工作條件；B點為電壓轉移曲線斜率＝-1 的工作條件；C點為v_o＝0.5V_DD的工作條件；D點為v_I＝V_DD的工作條件，試研判那一工作點的功率損耗最少？