試卷測驗 - 113 年 - 113 四技二專統測_電機與電子群電機、電資類_專業科目(一):基本電學、基本電學實習、 電子學、電子學實習#119627-阿摩線上測驗
chris951118剛剛做了阿摩測驗,考了2分
8. 如圖(六)所示電路,a、b 兩端之戴維寧等效電壓VTh及等效電阻RTh為何?
(A) VTh=12V、RTh=6Ω
(B) VTh=18V、RTh=6Ω
(C) VTh=18V、RTh=3Ω
(D) VTh=12V、RTh=3Ω
10. 如圖( 八) 所示電路,時間t = 0以前開關S 在" 1 " 的位置且電路已經達到穩態。若在t = 0
時將開關切換至 " 2 " 的位置,則開關切離位置" 1"的瞬間,9Ω 電阻之電壓VR為何?
(A) –10V
(B) –12V
(C) –16V
(D) –18V
11. 已知電壓v (t)=100 sin (100 t –30° )V、電流i(t)=–5 cos( 100 t+30° )A,則電壓與電流相位關係為何?
(A) 電壓相角超前電流相角60°
(B) 電壓相角超前電流相角30°
(C) 電壓相角落後電流相角60°
(D) 電壓相角落後電流相角30°
12. 如圖(九)所示週期性電壓v ( t)波形,若TON = 3 ms、TOFF = 2 ms、E = 15 V,則此電壓的平均值為何?
(A) 9V
(B) 10V
(C) 11V
(D) 12V
14. 如圖 ( 十一 ) 所示電路,若電源電壓大小固定,電源頻率為 240 Hz 時,電感抗為 j 160 Ω,
電容抗為–j40Ω,則電流 為最大值時的電源頻率為何?
(A) 480Hz
(B) 240Hz
(C) 120Hz
(D) 60Hz
16. 如圖(十二)所示電路,其中 為理想的電流表及電壓表,若電流表指示值為8.66A,
則下列敘述何者正確?
(A) 負載的總平均功率為225W
(B) 負載的總虛功率為325VAR
(C) 負載的總視在功率為395VA
(D) 電壓表指示值為60V
17. 總阻抗 為何?
(A) ( 3–j 8) Ω
(B) ( 3–j 14) Ω
(C) ( 3+j 2) Ω
(D) ( 3+j 4) Ω
21. 使用示波器量測一弦波信號v (t)=6 sin ( 157 t)V,若示波器之測試探棒衰減比為1:1,此弦波信號於示波器上顯示之波形如圖 ( 十五 ) 所示,則示波器之水平刻度 ( TIME / DIV ) 與
垂直刻度(VOLTS/DIV)設定分別為何?
(A) 水平刻度設定為10ms/DIV、垂直刻度設定為5V/DIV
(B) 水平刻度設定為5ms/DIV、垂直刻度設定為5V/DIV
(C) 水平刻度設定為10ms/DIV、垂直刻度設定為2V/DIV
(D) 水平刻度設定為5ms/DIV、垂直刻度設定為2V/DIV
29. 如圖(十九)所示電路,VCC=12V、VEE=–12V,若BJT之 β=54、VBE=0.7V,則VC約為何?
(A) 7.4V
(B) 6.2V
(C) 5.1V
(D) 4.2V
30. 如圖(二十)所示電路,RC =3kΩ 及 RF1=RF2=68kΩ,若BJT之 β=100,且已知基極交流 電阻rπ=1kΩ,則電壓增益 Av=v o / vi約為何?
(A) –182
(B) –198
(C) –238
(D) –287
33. 如圖 ( 二十一 ) 所示放大電路,電晶體操作於飽和區,若 N 通道 MOSFET 工作點之轉移電導 gm =4mA/V,RD =2kΩ,RS=1kΩ,則此電路之電流增益Ai=io /ii約為何?(忽略汲極電阻 rd)
(A) 0.81
(B) 0.62
(C) 0.36
(D) 0.13
34. 如圖 ( 二十二 ) 所示電路之 N 通道 MOSFET 疊接放大電路,電晶體 M 1 之臨界電壓
( threshold voltage ) Vt 1 = 3 V、參數 K1 = 4 mA / V2
,電晶體 M2 之臨界電壓 Vt 2 = 2.5 V、
參數 K2 = 1 mA / V2
, RG = 1 M Ω, RL = 10 k Ω,若汲極電阻 r d 皆忽略,則此電路之電壓增益 Av = vo / v i約為何?
(A) –1.98
(B) –2.82
(C) –3.56
(D) –4.58
38. 如圖 ( 二十五 ) 所示理想運算放大器 ( OPA ) 放大電路,若 R = 100 k Ω,則其電壓增益
A v = v o / v i 為何?
(A) 15
(B) 12
(C) 8
(D) 6
44. 如圖(二十八)所示電路,稽納二極體(Zener diode )之崩潰電壓VZ=10V,最大額定功率為
150 mW,且其逆向最小工作電流(膝點電流)IZK = 2 mA。若忽略稽納電阻,VS = 1 6 V、
RL = 1 k Ω 且調整電阻R以維持VO為固定10V,則電阻R之最小值及最大值分別為何?
(A) 300Ω、600Ω
(B) 250Ω、600Ω
(C) 250Ω、500Ω
(D) 240Ω、500Ω
45. 如圖(二十九)所示放大電路,BJT之 β = 199、VBE = 0.7 V,若熱電壓VT = 26mV,且工作點之射極電流IE設計為1.3mA,則VEE及電壓增益 Av=vo / vi分別約為何?
(A) 12.3V、178
(B) 12.3V、182
(C) 11.1V、158
(D) 11.1V、149
46. 如圖 ( 三十 ) 所示實驗電路,調整 VG以控制閘源極間電壓 VGS,調整 VDD以操作汲源極間電壓VDS。若 MOSFET 之臨界電壓 V t = 2.5 V,並使此 MOSFET 操作於飽和區,則下列
狀況何者正確?
(A) VGS=5V,VDS=1V
(B) VGS=4V,VDS=1.2V
(C) VGS=3V,VDS=1.5V
(D) VGS=2V,VDS=1.8V
48. 如圖(三十二)所示為理想 OPA 一階帶通濾波電路,若RA=0.5kΩ、CA=0.01μF、RB=1kΩ、
CB=0.05μF、Ra1=5kΩ、Rf1=20kΩ、Ra2=4kΩ、Rf2=16kΩ,則濾波器之頻帶寬度 BW約
為何?(π≈3.14)
(A) 18.66 kHz
(B) 22.54kHz
(C) 28.66kHz
(D) 36.54kHz