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【精選】 - 電子學 - 電工學(電工原理)2024~2017難度:1,2,3,4,5,6(726~750)
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1( ).
X


19 下圖電路中二極體 D1 之導通電壓為 0.7 V,導通電阻為 0 Ω。電容 C 兩端之初始跨壓為 0 V,則其穩 態跨壓 vC為何? phpTICYzg
(A)6 V
(B)3.3 V
(C)2.7 V
(D)1.3 V 



2( ).
X


24 圖中為雙載子電晶體放大器之等效模型,輸入為 vs,輸出為 vo。關於本放大器的敘述下列何者正確? phpGrkdX4
(A)為共基級放大器
(B)RL越大則輸入阻抗越小
(C)RL越大則增益越大
(D) |vo/vs|>1 



3( ).
X


8. 使一LED發亮至少應流過多少電流?
(A) 10~15 μA
(B) 500~600 mA
(C) 100~200 mA
(D) 10~15 mA


4( ).
X


2 對於 n-通道增強型 MOSFET 的本體效應(body effect),下列敘述何者正確?
(A)源極電壓提高時,源極與本體之間的空乏區會縮小
(B)源極電壓提高時,電晶體的臨界電壓下降
(C)變化源極對本體的電壓也可以影響汲極電流
(D)本體應接到電路的最高電壓


5( ).
X


29 如圖為共源極放大電路及其 MOS 電晶體的轉換特性與輸出負載線關係,假設 RG>>2 kΩ,該放大電 路的小信號電壓增益絕對值為何? 5c33f7691725d.jpg
(A)30
(B) 18
(C) 12
(D) 6



6( ).
X


11 關於 P-N 接面二極體之敘述,下列何者正確?
(A)順向偏壓時擴散電容(diffusion capacitance)較空乏電容(depletion capacitance)為大
(B)逆向偏壓增加時,接面之少數載子濃度增加
(C)逆向偏壓增加時,空乏區之寬度減少
(D)順向偏壓減少時,擴散電容增加


7(C).

40. 為了防止繼電器的線圈在斷電的瞬間所產生之感應電勢損壞電晶體,所以時常會在繼 電器的線圈兩端並聯什麼元件?
(A)電感
(B)電阻
(C)二極體
(D)電容


8( ).
X


第二部分:【第 41-60 題,每題 2 分,占 40 分】
41 一理想運算放大器之接線如【圖 41】,電源為±10V,則:
(A)輸入阻抗為 0Ω
(B)輸出電壓 vO=20V
(C)電壓增益為 0dB
(D)輸入電壓 v1 必須為正弦波 5d930dcb1be5f.jpg


9( ).
X


9 有一放大器電路如圖所示,放大器 U1 為理想運算放大器,其輸出電壓範圍侷限在+10 V 與-10 V 之間,二極體 D1、D2 順向電壓均為VD=0.7 V,電阻 R1、R2、R3 均為 1 kΩ,電源VI= -5 V,試問兩個二極體導通的狀態為何? 5df99f4ddec26.jpg
(A)二極體 D1、D2 均導通
(B)二極體 D1、D2 均不導通
(C)二極體 D1 導通、二極體 D2 不導通
(D)二極體 D1 不導通、二極體 D2 導通



10( ).
X


38 某電路之轉移函數: 5df9a237442e2.jpg下列有關 T(s)之敘述,何者正確?
(A)低通響應
(C)高頻增益為 10 dB
(B)直流增益為 0
(D)增益為 10 dB 時的頻率為 100 rad/s



11( ).
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36 如圖所示為一考畢子振盪器(Colpitts Oscillator)電路,其偏壓電路並沒有畫出來。電晶體 Q 之gm = 10 mA/V,RE = 1 kΩ,L = 20 μH,C1 = 25 pF,C2 = 100 pF。假若電晶體由基極視入的阻抗大到可以忽略。求電路的振盪頻率?
(A) 3.2 MHz
(B) 8 MHz
(C) 32 MHz
(D) 80 MHz 5e14174fee61c.jpg



12( ).
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16. 二極體接逆向偏壓時,其逆向飽和電流Is之敘述,下列何者正確?
(A)與逆向偏壓成反比
(B)與逆向偏壓成正比
(C)與溫度成反比
(D)與溫度成正比


13( ).
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9 有一雙極接面電晶體,其 IS = 10-15 A,爾利電壓(Early voltage)VA = 50 V 且 VCEsat = 0.4 V,若室溫 時其轉導值(transconductance)為 1/26 S,則此電路之偏壓電流 IC應為多少?
(A)10 mA
(B)1 mA
(C)100 μA
(D)10 μA


14( ).
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40.某一鐵心繞有 500 匝的線圈時電感為 4 亨利,則鐵心繞有 1000 匝的線圈時電感為多少亨利?
(A) 1
(B) 2
(C) 8
(D) 16


15( ).
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41.某週期性電流波形如【圖 41】所示,已知此電流之最大值為 Im 安培,此電流之有效值為多少安培? 5f1f8cb2e02ec.jpg
(A) 5f1f8cc57e3d6.jpg
(B) 5f1f8cd90d8c6.jpg
(C) 5f1f8cea02fd7.jpg
(D) 5f1f8d02b37ff.jpg



16( ).
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19. 頻寬相同的各放大器加以串接,則串接後下列敘述何者正確?
(A)總電壓增益大於單級增益,總頻寬等於單級頻寬之總和
(B)總電壓增益大於單級增益,總頻寬等於單級頻寬之乘積
(C)總電壓增益大於單級增益,總頻寬小於單級頻寬
(D)總電壓增益等於單級增益之總和,總頻寬等於單級頻寬


17( ).
X


38 關於串級放大器的頻率響應,下列何者錯誤?
(A) RC 耦合的方式使各級放大器的偏壓互不影響
(B) RC 耦合主要是靠電容來阻隔直流的電流
(C) RC 耦合的電容也會限制高頻的截止頻率
(D) RC 耦合的電容越大其所對應的低頻極點頻率(pole frequency)越低


18( ).
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7. 操作於飽和區之JFET放大電路,其 = 6 mA,夾止電壓(pinch - off voltage) = -3 V,若電 路工作點之 = -1.5 V,試求其電路之互導 gm 約為何?
(A) 2 mS
(B) 2.5 mS
(C) 3 mS
(D) 4.5 mS



19( ).
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31. 如下圖所示,某 RC 相移振盪器,為一理想運算放大器,若 R= 650 Ω, C= 0.01 μf,欲維持電路振盪,試求其電阻 最小值約為何?
(A) 13 KΩ
(B) 19 KΩ
(C) 25 KΩ
(D) 41 KΩ



20( ).
X


36. 關於555 IC振盪電路,下列何者有誤?
(A)無法改接成單穩態振盪器
(B)可當無穩態振盪器
(C)內含兩個比較器
(D)內含一個輸出緩衝器 


21( ).
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34.如【圖 34】所示之 RC 串聯電路,若將電源頻率 f 調低,則下列敘述何者正確?

(A) 變小
(B) I 變大
(C)
(D) 之相位差 θ 變大



22( ).
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38.如【圖 38】所示,其中 R=1kΩ、C =6μF,則欲等電容 C 充電至 100V,至少需要多少時間?

(A) 6ms
(B) 12ms
(C) 30ms
(D) 36ms



23( ).
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10 如圖之電路,已知每個二極體的切入電壓為 0.7 V,當 時,則電阻 R 為何?

(A) 0.6 kΩ
(B) 1.2 kΩ
(C) 2.4 kΩ
(D) 4.8 kΩ



24( ).
X


11如圖所示之電路,R1=1 kΩ 且 R2=4 kΩ,電源電壓 vs(t)=VScos(2000t) V。運算放大器的輸出電壓限制 於±15V,輸出電流限制於±20 mA。若負載電阻 RL=10 kΩ,輸出電壓波形尚未出現裁切(clipping) 時的最大輸入電壓 VS 為何?


(A) 2.5 V
(B)3V
(C) 3.5 V
(D)4V



25( ).
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23使用一增強型 PMOS 電晶體設計如圖的電路,此電晶體之 VTH= -1 V,μpCOX(W/L)=2 mA/V2,其 VGS電壓為何?

(A)-1.5 V
(B)-2 V
(C)-2.5 V
(D)-3 V



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阿好剛剛做了阿摩測驗,考了4分