(一)可發生游離輻射設備加速電壓值達三千萬伏(30MV)以上之設施。 (二)可發生游離輻射設備粒子能量達三千萬電子伏(30MeV) 以上之設施。 (三)使用密封放射性物質活度達一千兆貝克(1000TBq) 以上之設施。