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題目四: 如【圖四】所示的 BJT 電流鏡(current mirror),假設 Q1、Q2 為匹配電晶體,請證明: I 2 I REF O 【其中為共基極電流增益(common-base current gain)】【10 分】
題目三:
如【圖三】所示之增強型 NMOSFET 偏壓電路,若其操作於夾止區,K = 0.5 mA / V
2
、 V
T
= 3 V,請求出 ID與汲極電壓 VD的最大容許交流振幅。【10 分】
題目二:
請回答下列問題:
【題組】
(二)有關二進位元串(Binary String) 1001,若為 1 的補數,其十進位數值為何?若為 2 的補數,其十進位數值為何?【4 分】
60.有關 741 運算放大器(op amp)的敘述,下列何者錯誤? (A)輸入級為差動放大器 (B)電壓增益的主要來源為第二級 (C) AB 類輸出級含有短路保護功能 (D)利用米勒頻率補償技術可將主要極點設計在極高頻處
59.在邏輯帶(logic band)區域所定義的四種邏輯準位電壓參數,其間正確的大小關係為: (A) V
OH
> V
IH
> V
IL
> V
OL
(B) V
OH
> V
IH
> V
OL
> V
IL
(C) V
IH
> V
OH
> V
IL
> V
OL
(D) V
IH
> V
OH
> V
OL
> V
IL
58.大型積體電路(large-scale integrated circuit, LSI circuit)所含的邏輯閘數目約為: (A) 10 ~ 100 個 (B) 100 ~ 1000 個 (C) 1000 ~ 10000 個 (D) 10000 個以上
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