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【解題達人! We want you!】
活動說明
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如何獲得:
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近期考題
【非選題】
五、在 CMOS 半導體製程中，請用電晶體 PMOS 和 NMOS 來設計一個三輸入的反或閘 （NOR）邏輯電路；並說明對於此邏輯電路的 NMOS 和 PMOS 尺寸（W/L）的設計 考量。（20 分） （注意：PMOS 電路和 NMOS 電路採用對偶方式設計）
五、在 CMOS 半導體製程中，請用電晶體 PMOS 和 NMOS 來設計一個三輸入的反或閘 （NOR）邏輯電路；並說明對於此邏輯電路的 NMOS 和 PMOS 尺寸（W/L）的設計 考量。（20 分） （注意：PMOS 電路和 NMOS 電路採用對偶方式設計）
【非選題】
【題組】(a) What is the water vapor pressure e (kPa)? (5 pt)
3.Given a water vapor density 
, the molecular mass of
dry air
, amospheric pressure P = 100
kPa, and air temperature is T = 300 K, answert ver the followin lowing questions. (20 pt)
【題組】(a) What is the water vapor pressure e (kPa)? (5 pt)
15. 下列何種情境可以增加銷售團隊之凝聚力？
(A)擴大銷售團隊的規模，增加30位團隊成員至原團隊
(B)鼓勵銷售團隊內的個別成員之間互相競爭業績
(C)由團隊內的銷售冠軍擔任領導者，指揮一切銷售活動
(D)建立公開競賽制度，讓銷售團隊與公司其他的銷售團隊互相競爭
(A)擴大銷售團隊的規模，增加30位團隊成員至原團隊
(B)鼓勵銷售團隊內的個別成員之間互相競爭業績
(C)由團隊內的銷售冠軍擔任領導者，指揮一切銷售活動
(D)建立公開競賽制度，讓銷售團隊與公司其他的銷售團隊互相競爭
【非選題】
【題組】(二)矽基板（substrate）空乏區總電荷量 QD =？
三、金屬/氧化層/半導體（MOS）結構元件，已知氧化層 SiO2 厚度為 100 nm，其 εSiO2 = 3.9 εo，p 型矽之NA = 2✖1014 cm-3，其εSi = 11.9 εo，εo = 8.85✖10-14 F/cm， 常溫下 1 kT/q = 0.0259 V，q = 1.6✖ 10-19 C，ni = 1.5✖ 1010 cm-3，熱平衡時 電洞濃度 po = ni exp[(EFi - EF)/kT]，其中 EFi 為本質費米能階，EF 為 p 型 矽之費米能階。假設氧化層與介面均為理想，MOS 之平能帶（flat-band） 電壓為 VFB = -0.5 V，於某閘極偏壓 VG 下，元件進入空乏區，矽表面剛好 呈現本質（intrinsic），假設此偏壓下空乏區內之電子與電洞濃度均遠小於 NA，對 MOS 元件請求出：（每小題 5 分，共 20 分）
【題組】(二)矽基板（substrate）空乏區總電荷量 QD =？
