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【解題達人! We want you!】
活動說明
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近期考題
【非選題】
【已刪除】
【題組】 ⑵若接下來的 10 組樣本中，所發現沒做好的保溫杯個數如下表：
請評論這個製程的狀態。
【已刪除】
二、某公司生產保溫杯的生產線利用不良率管制圖（p chart）來監控產品品質，該公司定
期抽檢 100 個（n=100）保溫杯檢查，已知該製程的平均不良率為 0.02。請回答下列
問題： （每小題 10 分，共 20 分）
【題組】 ⑵若接下來的 10 組樣本中，所發現沒做好的保溫杯個數如下表：
請評論這個製程的狀態。
【非選題】
五、計算一理想 MOS 電容的臨限電壓（threshold voltage）VT。MOS 的結構為金屬-氧化層-p 型矽半導體，設金屬的功函數 qΦm = 4.1 eV，p 型矽半導體的濃度為 Na = 3 × 1016 cm −3 ， 矽的電子親和力（electron affinity）qX = 4.05 eV，矽的能隙寬 Eg = 1.12 eV，價電帶 電洞的有效狀態密度 Nv = 1.04 × 1019 cm-3 ，氧化層的厚度 tox = 600 Å，氧化層的介電 係數
= 3.9 × 8.85 × 10-14 F/cm，矽的介電係數 
= 11.7 × 8.85 × 10 -14F/cm，熱電壓
Vt = kT/q = 0.0259 V。（20 分）
五、計算一理想 MOS 電容的臨限電壓（threshold voltage）VT。MOS 的結構為金屬-氧化層-p 型矽半導體，設金屬的功函數 qΦm = 4.1 eV，p 型矽半導體的濃度為 Na = 3 × 1016 cm −3 ， 矽的電子親和力（electron affinity）qX = 4.05 eV，矽的能隙寬 Eg = 1.12 eV，價電帶 電洞的有效狀態密度 Nv = 1.04 × 1019 cm-3 ，氧化層的厚度 tox = 600 Å，氧化層的介電 係數
= 3.9 × 8.85 × 10-14 F/cm，矽的介電係數 = 11.7 × 8.85 × 10 -14F/cm，熱電壓
Vt = kT/q = 0.0259 V。（20 分）
【非選題】
1.Figure 1 is a summing op-amplifier to produce the output 
.
The resistors R1 = 20 kΩ and R3 = 80 kΩ. The op-amplifier is ideal. Please determine the values of
resistors R2, R4, Rs and R6.
