101年 - [無官方正解]101 國立嘉義大學_電子物理學系光電暨固態電子碩士班(甲組)招生考試試題：電子學#146327

1. 在室溫時，二極體電流為4.3mA，則其交流順向電阻為多少歐姆？ (A) 1 (B) 2 (C) 4 (D) 6 Ω。

2. 下列關於理想二極體的敘述，何者錯誤？ (A) 順向時視為短路，逆向時視為開路 (B) 順向電阻等於零，逆向電阻無限大 (C) 無順向電壓降，無逆向電流 (D) 順向電壓等於零，逆向電流無限大。

3. 將硼(As)元素摻進純矽晶體內，則成為 (A) N型 (B) P型 (C) I型 (D) J型 材料。

4. 當P型及N型材料相接觸時，即會產生一空乏區，而P型半導體之空乏區內應有 (A) 電洞 (B) 電子 (C) 負離子 (D) 正離子。

5. 下列有關共集極放大電路之敘述何者正確？ (A) 信號由集極輸入 (B) 輸入電阻高 (C) 射極電壓的平均值永遠為0V (D) 又稱集極隨耦器。

6. 則其I_B值為 (A) 0.093 mA　 (B) 0.083 mA　 (C) 0.073 mA　 (D) 0.063 mA。

7. 同上題，若β=50，則I_C值為 (A) 4.65 mA　 (B) 4.15 mA　 (C) 3.65 mA　 (D) 3.15 mA。

8. 同上題，則V_CE值為 (A) 8 V (B) 7.3 V (C) 6.35 V (D) 5.35 V。

9. 求此JFET 在V_GS=－3V時的I_DS值為多少mA？ (A) 6.4 (B) 2.8 (C) 1.6 (D) 0.9 mA。

10. 同上題，若V_gg=6 V，求此JFET的I_DS值為多少mA？ (A) 0 (B) 1 (C) -1 (D) -2 mA。

11. 如圖三為採用理想的運算放大器，則輸出電壓V₀為　 (A) +2.5 (B) -2.5 　 (C) +1.5　 (D) -1.5　V。

12. 有關理想運算放大器的特性描述，下列何者錯誤？　(A) 開路電壓增益 \( A_{vo} \to \infty \)
(B) 輸入阻抗 \( R_i \to \infty \)
(C) 輸出阻抗 \( R_o \to \infty \)
(D) 頻帶寬度 \( BW \to \infty \)

13. 下列何種組態，其輸出訊號與輸入訊號反相 ？　 (A) 共源極 (B) 共汲極 (C) 共閘極 (D) 共集極。

14. 如圖四之電路，若 \( R_D = 20\text{k}\Omega \)，\( g_m = 2\text{mA/V} \)，\( r_d = 20\text{k}\Omega \)，其電壓放大率 \( A_v \) 為

(A) -50
(B) -40
(C) -20
(D) -10

15. 要使P通道增強型的MOSFET導通，其閘極偏壓應為　 (A) 正電壓　 (B)負電壓　 (C)正、負電壓均可　 (D)零。

16. 某一 N 通道增強型 MOSFET 的臨界電壓 \( V_{th} = 3V \)，試計算在 \( V_{GS} = 10V \) 的互導值為 \( K = 0.3 \, \text{mA/V}^2 \)　(A) 4.2　(B) 3　(C) 2.1　(D)1.8　 。

17. 圖五的電路為 N 通道空乏型 MOSFET 的偏壓電路，設 MOSFET 的 \( I_{DSS} = 9\text{mA} \)，\( V_p = -4.5\text{V} \)，則直流偏壓值為

(A) \( V_{GS} = 4.5\text{V} \)，\( I_D = 9\text{mA} \)

(B) \( V_{GS} = -4.5\text{V} \)，\( I_D = 4.5\text{mA} \)

(C) \( V_{GS} = 0\text{V} \)，\( V_{DS} = 18.6\text{V} \)

(D) \( V_{GS} = 0\text{V} \)，\( V_{DS} = 13.2\text{V} \)

18. 一功率放大器的輸入功率為1W，若其功率增益為20dB，則此放大器之輸出功率為　(A) 10　(B) 20　(C) 100　(D) 200　W。

19. 如圖六所示，其輸出阻抗為 (A) 等於 \( 100\text{k}\Omega // 100\text{k}\Omega \) (B) 等於 \( 1\text{ k}\Omega \) (C) 大於 \( 1\text{ k}\Omega \) (D) 甚小於 \( 1\text{ k}\Omega \)。

20. 如圖七所示，\( Q_1 \) 與 \( Q_2 \) 為匹配(matched)之電晶體且皆操作於作用區(active region)，而 \( \beta_1 = \beta_2 = \beta \)，求 \( \frac{I_o}{I_{ref}} = \)

(A) \( \frac{1}{1+\beta^2} \)
(B) \( \frac{1}{1+\beta} \)
(C) \( \frac{1}{1+\frac{2}{\beta^2}} \)
(D) \( \frac{1}{1+\frac{2}{\beta}} \)

1. 如圖八的電晶體電路，β=100，試以近似解法求電晶體的IC，VCE，Zi，Zo及 Av=Vo/Vi

2.如圖九的電路，若稽納二極體的膝部電流 \( I_{ZK}=2\text{ mA} \)，最大功率消耗為 \( 0.96\text{ W} \)，求欲使稽納二極體保有穩壓功能的 \( R \) 的範圍

3. 圖十中 NMOS 之臨界電壓 \( V_{Th}=1.5\text{V} \)，電導常數 \( K=0.125\text{mA/V}^2 \) (\( I_D=K(V_{GS}-V_{Th})^2 \))，通道調變參數 \( \lambda=0.01\text{V}^{-1} \) 試求(1)小信號模型輸出電阻 \( r_o \) 等於多少 \( \text{k}\Omega \) ？(2)此電路之小信號電壓增益 \( A_v=\frac{v_o}{v_i} \) 等於多少？

(1) \( Q_1 \) 電晶體之直流操作點之集極電流 \( I_{CQ1} \) 等於多少 mA？

(2) \( Q_2 \) 電晶體之小信號模型轉移電導 \( g_m \) 等於多少 mA/V？