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103年 - 103 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_從業評價職位人員／電氣：電子學#25706

科目：電子學 | 年份：103年 | 選擇題數：50 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：電子學

選擇題 (50)

1.已知電壓是 100sin377 t 伏特，若某電流相角超前電壓 30o 、頻率是 60Hz、電流有效值為 100 安培，則此電流為： (A)  (B) (C)  (D)
2.在室溫下，欲使矽晶體中之電子脫離共價鍵成為自由電子，至少需要多少能量？ (A) 0.47 ev(B) 0.72 ev(C) 1.1 ev(D) 1.43 ev
3.關於稽納二極體的特性，下列敘述何者正確？ (A)能在定電壓下調整電流，故可用來設計穩壓電路(B)能將電能轉為光能，故可做為數字顯示器 (C)是一種閘流體，故可做相位控制電路(D)是一種感測元件，適合做為光控電路
4.某整流電路輸出的直流電壓為 30 V，交流漣波電壓為 1.5 V(rms)，則此整流電路之漣波因數 r %為何？ (A) 0.1%(B) 1.5%(C) 5%(D) 20%
5.某電源供應器在空載時輸出電壓為 22 伏特，滿載時輸出電壓為 20 伏特，則電壓調節率為何？ (A) 5.8%(B) 8.3%(C) 9.1%(D) 10%
6.欲使 NPN 雙載子接面電晶體(BJT)工作於作用區(Active region)，應如何施加偏壓？ (A)  (B)  (C)  (D)
7.關於雙載子接面電晶體(BJT)之特性，下列敘述何者正確？ (A)電晶體內的電流是由電子移動所形成(B)射極的掺雜濃度比集極高 (C)射極的體積比集極大(D) PNP 型的交換速度比 NPN 型快
8.電晶體(BJT)三種組態放大電路之特性，下列敘述何者正確？ (A)共基極放大電路的輸入阻抗最高(B)共集極放大電路的輸出阻抗最高 (C)共射極放大電路的功率增益最高(D)共基極放大電路的電流增益最高
9.電晶體(BJT)之輸入交流電阻 與 的關係，下列敘述何者正確？ (A) (B)(C) (D)
10.對於直接耦合放大電路的特性，下列敘述何者正確？ (A)高頻響應佳，工作點較不穩定(B)高低頻率響應皆佳，工作點亦很穩定 (C)低頻響應差，工作點也不穩定(D)低頻響應佳，工作點較不穩定
11.某放大電路之中頻段功率增益為 100，當輸入信號頻率降至與低頻截止頻率相同時，功率增益將變為多少？ (A) 0(B) 50(C) 70.7(D) 141.4
12.邏輯函數 可化簡為： (A) (B) (C) (D) 
13.當汲極偏壓 VDS 很小時 FET 的特性有如一個受電壓控制之線性電阻，則該控制電壓為何？ (A) Vt （臨界電壓：Threshold voltage）(B) VGS (C) VDS (D) VGD
14.下列何者不是理想運算放大器的特性？ (A)輸入阻抗 Ri =∞(B)開迴路增益 Av = 0(C)頻帶寬度BW=∞(D)共模拒斥比CMRR =∞
15.【圖 15】電路中 R1=1kΩ、Rf =20kΩ，VCC =12V ，若運算放大器的特性為理想， Vs = 0.1V ，試求輸出電壓 Vo ？ (A) -1.2 V(B) -2 V(C) 2.1 V(D) 12 V
16.若【圖 16】電路中之運算放大器的特性為理想，下列敘述何者正確？ (A)是一個比較器 (B)具有很高的電壓增益 (C)具有很高的輸出阻抗 (D)是一個電壓增益為 1 的非反相電路
17.關於振盪器之敘述，下列何者正確？ (A)考畢子振盪電路是一種音頻振盪器(B) RC 相移振盪電路是一種射頻振盪器 (C)石英晶體是利用晶體本身之壓電效應產生振盪(D)韋恩電橋振盪電路是一種多諧振盪器
18.若將 J-K 正反器的 J、K 接在一起，其功能相當於： (A) R-S 正反器(B) T 型正反器(C) D 型正反器(D)特性不變
19.沒有外加偏壓的 PN 二極體，接合面兩側所產生的空乏區哪邊會比較寬？ (A)掺雜濃度低的一側 (B)掺雜濃度高的一側 (C)兩側相同 (D)無法判定
20.【圖 20】電路中 ，二極體之順向電壓降為 0.7 V，則電壓 Vo = ？ (A) 1 V(B) 1.4 V(C) 9 V(D) 10 V
21.【圖 21】電路中 ，二極體 D 之順向電壓降為 0.7 V，則電壓 Vo = ？ (A) 0.7 V(B) 0.9 V(C) 2.1 V(D) 2.7 V
22.如【圖 22】所示截波電路， 伏特， V1 = 4V、V2 = 5V，若二極體之順向電壓降為 0 V， 則輸出電壓峰對峰值為何？ (A) 1 V(B) 4 V(C) 5 V(D) 9 V
23.某電晶體(BJT)的電流增益 β 由 50 變化到 100 時，則 α 的變化約為： (A)由 0.98 變化到 0.99(B)由 0.99 變化到 0.98(C)由 51 變化到 101(D)由 101 變化到 51
24.【圖 24】電路中電晶體之 ，電阻器 ，試求集極電壓 VC （近似值）？ (A) 0.3 V(B) 9.7 V (C) 12.3 V(D) 19.7 V
25.關於 BJT（電晶體）和 FET（場效應電晶體）的特性，下列敘述何者錯誤？ (A) BJT 是雙載子元件，而 FET 是單載子元件 (B)在 IC 的製作上，BJT 比 FET 佔較大的面積 (C) BJT 與 FET 都是電流控制元件 (D) FET 具有較高的輸入阻抗
26.某放大器之開回路增益為 100，頻寬為 10 kHz，若接上回授因數為 0.01 的負回授電路，則頻寬變為： (A) 5 kHz(B) 10 kHz(C) 20 kHz(D) 100 kHz
27.已知某 FET 的 IDSS =10mA ，夾止電壓 VP = 4V - ，當工作點 VGSQ = -2V 時，試求 FET 之互導 gm ？ (A) 0.5 mS(B) 1.5 mS(C) 2.5 mS(D) 3.5 mS
28.欲使一個 n 通道增強型 MOSFET 工作於飽和區，應如何提供偏壓？ (A) (B)(C)(D)
29.一般電氣設備接地線的顏色為何？ (A)綠色(B)黑色(C)白色(D)藍色
30.某電晶體之 β = 100，當 IB = 1mA 時 IC =90 mA，問此電晶體是操作在哪個區域？ (A)工作區(B)飽和區(C)截止區(D)無法判定
31.射極隨耦器屬於何種放大電路組態？ (A)共射極放大電路(B)共集極放大電路(C)共基極放大電路(D)共閘極放大電路
32.【圖 32】電路中 電晶體之 ，試求電壓增益 Av （近似值）？ (A) 147 (B) -181 (C) 206 (D)-346
33.【圖 33】電路中之 Vi = 22V，Vz = 8.2V ， VBE = 0.7V， ，試求電流 ？ (A) 2.2 mA(B) 42 mA(C) 89 mA(D) 131 mA
34.【圖 34】電路中 FET 之 gm = 5mS， 、 、  ，試求電壓增益 A v ？ (A) 25 (B) -25 (C) 50 (D) -50
35.【圖 35】電路中 Vi =8V，R1 = 2kΩ、Rf = 4kΩ、RC = 2kΩ ，若運算放大器的特性為理想，試求電流 L I = ？ (A) 2 mA(B) 4 mA(C) 1.33 mA(D) 8 mA
36.【圖 36】電路中 R = Ω 100k 、C =10μF ，若運算放大器的特性為理想，當 = 時 = ？ (A) 2t 伏特(B) -2t 伏特(C) 20t 伏特(D) -20t 伏特
37.如【圖 37】所示之振盪電路， ，在正常動作下，該電路之振盪頻率約為： (A) 160 Hz (B) 1 kHz (C) 1.6 kHz (D)10 kHz
38.有一個非穩態複振器(Astable multibibrator)如【圖 38】所示，電路中之電阻 R1 =10kΩ,， R2 = 30kΩ 電容 ，則輸出信號 Vo 之振盪頻率約為： (A) 1.5 kHz(B) 2 kHz(C) 3 kHz(D) 4.5 kHz
39.【圖 39】是一個由二極體與電阻所組成的數位正邏輯電路，請問這是何種邏輯閘電路？ (A) OR(B) NOR(C) AND(D) NAND
40.如【圖 40】所示電路，二極體的耐壓(PIV)不得小於幾伏特？ (A) 10 V(B) 14.14 V(C) 20 V(D) 28.28 V
41.如【圖 41】所示，是哪一種偏壓電路？ (A)固定偏壓電路(B)射極回授式偏壓電路(C)電阻分壓偏壓電路(D)集極回授式偏壓電路
42.下列哪一種偏壓電路最穩定，最不受溫度及β值變化之影響？ (A)固定偏壓電路(B)射極回授式偏壓電路 (C)集極回授式偏壓電路(D)電阻分壓偏壓電路
43.下列哪一種多級放大器的耦合方式，其低頻響應最好？ (A)直接耦合(B) RC 耦合(C)電感耦合(D)變壓器耦合
44.如【圖 44】所示電路（OPA 為理想），電壓增益 Av=Vout/Vin為多少？ (A) 0.33(B) 3(C) 4(D) 20
45.如【圖 45】所示電路，稽納二極體之 VZ＝10V，最大額定功率為 500mW；在稽納二極體不燒毀之前提下， RL允許之最大值為何？ (A) 50Ω (B) 66.7Ω (C) 100Ω (D)∞Ω
46.如【圖 46】所示電路，射極電壓 VE約為多少？ (A) 0 V(B) 0.7 V (C) 2 V(D) 3.6 V
47.如【圖 47】所示電路，求電路之電壓增益 Vo／Vi 約為多少？ (A) -5(B) -100(C) 20(D) 100
48.如【圖 48】所示電路，β=100，求電路之小信號輸入阻抗 Ri 約為多少？ (A) 33.3 kΩ (B) 50 kΩ (C) 100 KΩ (D)10 MΩ
49.如【圖 49】所示電路，若 FET 的 gm = 10mS，則電壓增益 AV=Vout/Vin約為多少？ (A) 0.6(B) 0.9(C) 10(D) 20
50.如【圖 50】所示（OPA 為理想），若開關 S1，S2，S4閉合，S3打開，則 Vo大小為何？ (A) -4.5 V (B) -5.5 V (C) +6.5 V (D) +10 V 

申論題 (0)