所屬科目：電子學
一、如圖一所示電路為 BJT 放大器之小信號電路模型，其中電晶體參數為β=100 ， rπ=1.2 kΩ 。試求電路之小信號電壓增益Vo /VS 及輸入電阻 Ri 。（25 分）
二、如圖二所示之共源極電路，其中VDD=24 V，RD=20 Ω。試求出 MOSFET所需的電流、電壓及額定功率。（25 分）
三、如圖三所示電路，試推導電壓轉換函數（voltage transfer function）T ( s ) =Vo ( s ) /Vi ( s ) 及 f3dB 截止頻率（cutoff frequency）。（25 分）
四、如圖四所示 NMOS NOR 閘電路，其中 VDD = 1.8 V ，且電晶體參數為kn'= 100 μA/V2 ，VTND =0.4 V ，VTNL = -0.6 V ， (W /L) D = 5 ， (W /L) L =1 。忽略本體效應（body effect） ，試求當輸入電壓 vA= vB = 1.8 V 時的輸出電壓 vo 及電路的功率消耗。（25 分）
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