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114年 - 114 原住民族特種考試_四等_電子工程:電子學概要#130947
> 申論題
一、如圖一所示電路為 BJT 放大器之小信號電路模型,其中電晶體參數為β=100 , r
π
=1.2 kΩ 。試求電路之小信號電壓增益V
o
/V
S
及輸入電阻 R
i
。(25 分)
相關申論題
二、如圖二所示之共源極電路,其中VDD=24 V,RD=20 Ω。試求出 MOSFET所需的電流、電壓及額定功率。(25 分)
#553085
三、如圖三所示電路,試推導電壓轉換函數(voltage transfer function)T ( s ) =Vo ( s ) /Vi ( s ) 及 f3dB 截止頻率(cutoff frequency)。(25 分)
#553086
四、如圖四所示 NMOS NOR 閘電路,其中 VDD = 1.8 V ,且電晶體參數為kn'= 100 μA/V2 ,VTND =0.4 V ,VTNL = -0.6 V , (W /L) D = 5 , (W /L) L =1 。忽略本體效應(body effect) ,試求當輸入電壓 vA= vB = 1.8 V 時的輸出電壓 vo 及電路的功率消耗。(25 分)
#553087
6. 已知下圖疊接放大電路之MOSFET參數K₁=K₂=0.5mA/V²,靜態汲極電流ID為0.5mA,則電路之gm為?
#566892
5. 如圖所示電路,Vi=3.77cos377tV,R=100kΩ,C=1μF,電容電壓初值為零,則輸出電壓Vo為?
#566891
4. 如圖所示電路,若運算放大器具理想特性且Vo=12V,試求電流源I1為?
#566890
3. 如圖所示主動式帶通濾波器,其高頻截止頻率為fH,低頻截止頻率為fL,若C₂=5C₁,R₂=4R₁,則fH/fL為?
#566889
2. 如圖所示電路,假設電源電壓VDD=20V,VSS=-20V,且工作點設置於VGS=-1V,VDS=9V,ID=7mA,汲極電阻RD值約為?
#566888
二、填充題1. 如圖所示電路,若電晶體的切入電壓VBE為0.7V且電阻15kΩ消耗150μW,試求該電晶體的β值為________。
#566887
(二) = 5 V , = 0 V 時, =?
#561019
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