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114年 - 114 原住民族特種考試_四等_電子工程:電子學概要#130947
> 申論題
二、如圖二所示之共源極電路,其中V
DD
=24 V,R
D
=20 Ω。試求出 MOSFET所需的電流、電壓及額定功率。(25 分)
相關申論題
一、如圖一所示電路為 BJT 放大器之小信號電路模型,其中電晶體參數為β=100 , rπ=1.2 kΩ 。試求電路之小信號電壓增益Vo /VS 及輸入電阻 Ri 。(25 分)
#553084
三、如圖三所示電路,試推導電壓轉換函數(voltage transfer function)T ( s ) =Vo ( s ) /Vi ( s ) 及 f3dB 截止頻率(cutoff frequency)。(25 分)
#553086
四、如圖四所示 NMOS NOR 閘電路,其中 VDD = 1.8 V ,且電晶體參數為kn'= 100 μA/V2 ,VTND =0.4 V ,VTNL = -0.6 V , (W /L) D = 5 , (W /L) L =1 。忽略本體效應(body effect) ,試求當輸入電壓 vA= vB = 1.8 V 時的輸出電壓 vo 及電路的功率消耗。(25 分)
#553087
(二)當 vA = vB = 5 V 時,vO = ?(15 分)
#570154
(一)當 vA = vB = 0 V 時,vO = ?(10 分)
#570153
三、圖 三 為 一 個 npn 雙 載 子 接 面 電 晶 體 ( BJT ) 疊 接 放 大 器 ( Cascode Amplifier)電路,電晶體 Q1 與 Q2 皆工作在主動模式(Active Mode) 下。為計算方便,未顯示其偏壓電路,但已知 IC2 = 1 mA。電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下:β1 = β2 =100,VA1 = VA2 = 150 V,VT1 = VT2 = 25 mV, Cπ1 = Cπ2 = 15 pF,Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF,CS1 = CS2 = 0。電路部分,Rsig = 2 kΩ, RL = 4 kΩ,CL = 20 pF。請計算中頻增益 AM 與上 3dB 頻率 fH。(25 分)
#570152
二、圖二為一個 pnp 雙載子接面電晶體(BJT)電路,電晶體 Q 的參數如下: β = 100,ro = ∞,VT = 25mV,如果電晶體 Q 導通,其 VEB = 0.7V。電路 中,RB = 100kΩ,RE = 5kΩ,RL = 2kΩ,CC 是一個耦合電容,其值為∞。 請計算輸入電阻 Rin、輸出電阻 Rout 與電壓增益 vo/vsig。(25 分)
#570151
一、有一個理想運算放大器(Operational Amplifier)電路如圖一所示,輸入電 壓信號分別為 V0、V1、V2 與 V3,輸出電壓信號為 Vo。電路中 R = 10kΩ。 請計算 Vo。(25 分)
#570150
四、有一個串並(Series-Shunt)回授放大器電路如圖三所示,所有電晶體均工作 在飽和區(Saturation Region)。為計算方便,未顯示其偏壓電路。NMOSFET 電晶體 Q1 與 PMOSFET 電晶體 Q2 的參數如下:g m1 = g m2 = 5 mA/V, ro1 = ro2 = ∞。電路中,RD1 = 10 kΩ,RD2 = 10 kΩ,R1 = 2kΩ,R2 = 18 kΩ。 請計算:電壓增益 vo/vs、輸入電阻 Rin 與輸出電阻 Rout。(25 分)
#569908
三、圖二為一個 NMOS 場效電晶體(FET)電路,電晶體 Q1、Q2 與 Q3 的參數 如下:所有電晶體的 kn' = μnCox = 500 μA/V2,Vtn = 0.5 V,λ1 =λ2 = λ3 = 0, L1 = L2 = L3 = 0.5 μm,W1 = 2 μm,W2 = W3 = 10 μm。當 IREF = 50 μA 時, R 值為何?IREF = 50 μA 時,同時計算 V1、V2、V3 與 I2。(25 分)
#569907
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