109年 - 109 全國高級中等學校學生技藝競賽考試_工業類:數位電子#138783

1.一個線性電壓放大器，假設在輸入端V_i = 2 mV, i_i = 1 mA時，在輸出端產生V_o= 0.2 V, io = 10 mA，則此放大器之功率增益為何? (A) 100 dB (B) 60 dB (C) 30 dB (D) 20 dB

2.下列何者不包含在原子的原子核(atomic nucleus)? (A) 中子 (B) 電子 (C) 質子 (D) 以上皆非

3.如圖(一)所示為一理想之二極體電路，求 I 和 V 分別為何? (A) I = 0A, V = -2V (B) I = 1mA, V = 0V (C) I = 0A, V = 2V (D) I =1 mA, V = 4V

4.如圖(二)所示為一理想之二極體電路，則下列敘述何者為真?
(A) I₁ = 1 mA, I₂ = 0.5 mA (B) I₁ = 0 mA, I₂ = 0.5 mA (C) I₁ = 0.5 mA, I₂ = 1 mA (D) I₁ = 0.42 mA, I₂ = 0.42 mA 

5.如圖(三)所示的電路，假設二極體的順向導通電壓為 0.7 V，當輸入為峰值 120 V 之正弦波時，求二極體之逆向峰值電壓(PIV)為何? (A) 119.3 V (B) 118.6 V (C) 60.7 V (D) 59.3 V

6.假設某一 7805 IC 在無負載時輸出電壓為 5.1 V，全負載之輸出電壓為 5 V，則其負 載調整率百分比值為何? (A) 2 % (B) 1 % (C) 0.2 % (D) 0.1 % 1

7.如圖(四)所示之電路，假設V_z = 5V，二極體的順向導通電壓為 0.7V，則當V_I = −20 V 時，求V_o =?
(A) -20 V (B) -15 V (C) -6.4 V (D) -5.7 V 

8.如圖(五)所示之雙極性電晶體(BJT)電路，假設在主動區工作時的β = 100，V_BE = 0.7 V，且在飽和區工作之V_CE(sat) = 0.2 V，求I_B 與I_C 分別為何?
(A) I_B = 0.02 mA, I_C = 2.13 mA (B) I_B = 0.77 mA, I_C = 1.38 mA (C) I_B = 0.016 mA, I_C = 1.63 mA (D) I_B = 1.52 mA, I_C = 1.63 mA

9.求放大器之輸入阻抗 ?i ? (A) 4 kΩ (B) 3.2 kΩ (C) 2.4 kΩ (D) 1.54 kΩ

10.同上題之電路，求小信號電壓增益v_o /v_i ? (A) -800 V/V (B) -1000 V/V (C) -1200 V/V (D) -1600 V/V 

11.已知一串級放大器之總功率增益為 60 dB，輸入阻抗R_i = 5 kΩ，負載電阻R_L = 200Ω，求總電壓增益為何? (A) 400 V/V (B) 200 V/V (C) 100 V/V (D) 50 V/V 2

12.下列對變壓器耦合串級放大電路的敘述，何者正確? (A) 各級直流偏壓會互相影響 (B) 容易產生交流雜音 (C) 頻率響應較佳 (D) 不易阻抗匹配

13.一 N 通道接面型場效電晶體(JFET)，工作在夾止飽和區，已知當V_Gs = −1 V時，I_D= 4 mA，而當V_Gs = −1.5 V時，I_D = 1 mA，求其夾止電壓(pinch-off voltage)V_Gs(p) 為何? (A) -3.5 V (B) -3 V (C) -2.5 V (D) -2 V

14.假設一 P 通道空乏型 MOSFET 之夾止電壓(pinch-off voltage)V_Gs(p) = 2V，則當V_G = 4 V，V_D= 1 V，且V_s = 3 V時，此 MOSFET 工作在何種模式? (A) 夾止飽和區 (B)截止區 (C)歐姆區(或稱為三極區) (D)無法判斷

15.如圖(七)所示為一 N 通道增強型 MOSFET 放大器電路，假設臨界電壓V_Gs(t) = 1.5 V， 參數k = 4 mA/V ² ，且電容值趨近於無限大，求此放大器之電壓增益為何? (A) 20 V/V (B) 16 V/V (C) 12 V/V (D) 6 V/V

16.已知一運算放大器(OPA)具有共模增益A_c = 0.1，差模增益A_d = 10⁵，則此放大器之共模拒斥比(CMRR)為何? (A)∞(B) 120 dB (C) 100 dB (D) 80 dB

17.如圖(八)所示為一理想運算放大器(OPA)電路，求Vo 為何?
(A) -9.6 V (B) 9.6 V (C) -12 V (D) 12 V 

18.如圖(九)所示之微分器電路，假設? = 1 kΩ，C = 1 μF，輸入信號為 2 kHz，±1 V之三角波信號，則輸出信號為何?
(A) 4 kHz，±2 V之方波 (B) 2 kHz，∓2 V之方波 (C) 2 kHz，∓8 V之三角波 (D) 2 kHz，∓8 V之方波

19.下列何種電路可應用於記憶體電路? (A) 雙穩態電路 (B)單穩態電路 (C)無穩態電路 (D)韋恩電橋電路 

20.典型的儀表放大器第一級最常出現下列何種電路? (A) 共集極( CC )放大器 (B)共源極(CS)放大器 (C) 差動放大器(differential amplifier) (D)樞密特觸發電路

21.若 840 庫倫電荷花了 5 分鐘通過一個元件，則其電流為何？ (A) 16.8A (B) 8.8A (C) 4.8 A (D) 2.8A

22.若一個系統有三個子系統串接而成，每一個子系統的效率分別為 90%、80%、75%， 則此系統之總效率為何？ (A) 54% (B) 72% (C) 75% (D) 90%

23.一個 10電阻器，若每分鐘有 120 庫倫的電荷通過，此電阻器所消耗之電功率為何？ (A) 10 W (B) 20 W (C) 40 W (D) 60 W

24.一個 10 F 電容器若從 100V 充電至 120V，則在充電期間所儲存的能量為何？ (A) 2.2 焦耳 (B) 0.22 焦耳 (C) 0.022 焦耳 (D) 0.0022 焦耳

25.若將 10 F/100V 及 50 F/120V 兩個電容器串聯後之最大耐壓為何？ (A) 100V (B) 110V (C) 115V (D) 120V

26.如圖(十)電路所示，當開關 SW 開路及閉路時，V₁ 的電壓分別為何？
(A) 50V、33.33V (B) 50V、30.33V (C) 33V、50V (D) 50V、23.33V

27.如圖(十一)電路所示，試求 R 之值為何？
(A) 5Ω (B) 2.5Ω (C) 1Ω(D) 0Ω

28.如圖(十二)電路所示，試求總電壓 E 之值為何？
(A) 30 V (B) 90 V (C) 140 V (D) 220 V

29.如圖(十三)電路所示，若 V_Z = 6V，求 I_Z 電流之值為何？
(A) 40 mA (B) 30 mA (C) 20 mA (D) 10 mA

30.將圖(十四)(a)電路化為等效電路如圖(十四)(b)所示，求等效電壓 E_th 及等效電阻 R_th 之值為何？ (A) 2V、3 Ω(B) 3V、4 Ω (C) 4V、3 Ω (D) 6V、4 Ω

31.一個 RC 串聯電路之時間常數為何？ (A) R/C (B) RC (C) C/R (D) 5RC

32.一個 RL 串聯電路中，電阻 R 為 10kΩ，電感 L 為 10mH，此電路之時間常數為何？ (A) 1 ms (B) 100μs (C) 10μs (D) 1μs

33.如圖(十五)電路所示，當開關 S 閉合瞬間，電流 I 之值為何？
(A) 1.75A (B) 1.5A (C) 1A (D) 0.5A 5

34.一般家庭用交流電壓 110V，是指交流電壓的何值？ (A) 峰對峰值 (B) 有效值 (C) 峰值 (D) 平均值

35.若 v(t) = 50 sin(ωt -30°)，i(t) = 20 sin(ωt- 70°)，其相位關係為何？ (A) 電壓領前電流 100° (B) 電壓領前電流 130° (C) 電流落後電壓 40° (D) 電流落後電壓 100°

36.試計算(2 + j3)✖(3 + j5)之結果為何？ (A) -9 + 19j (B) -9 + j (C) 25 + 19j (D) 25 - 19j

37.一個 v(t) = 100 sin(314t)跨接在 10 μF 電容器的兩端，則求電容抗(X_C)為何？ (A) 318.5Ω (B) 192.5Ω (C) 91.7Ω (D) 45.8Ω

38.若 i(t) = 50 sin(500t +30°)的電流通過一個 20 μF 的電容器，求該電容器兩端之電壓為何？ (A) 1000 sin(500t - 60°) (B) 1000 sin(500t + 120°) (C) 5000 sin(500t + 120°) (D) 5000 sin(500t - 60°)

39.如圖(十六)電路所示，求其總導納(Y)為何？
(A) 1 – 0.5j (B) 1 + 0.5j (C) 0.5 – 0.5j (D) 0.5 + 0.5j 姆歐

40.一個串聯 LC 電路，若電路之諧振頻率為 10MHz，其中電感值為 10 H，則下列選 項中，何者之電容值最合適？ (A) 1 pF (B) 10 pF (C) 20 pF (D) 25 pF

41.若基底為 8 及基底為 x 之兩數存在下列條件：(32)₈=(122)_x，求 x 之值為何？ (A) 2 (B) 4 (C) 8 (D) 12。

42.如圖(十七)所示之燈泡切換電路，則燈泡 D 之觸發條件應為何？
(A) D=(A + B) ∙ C (B) D=(A ∙ B) + C (C) D=A ∙ B ∙ C (D) D=A + B + C。

43.如圖(十八)所示之電路，試問其輸出 Z 可表示成何種最簡型式？ (A) (B) (C) Z=A+B+ C (D) 。

44.試將 1101_(Gray)轉成十進制碼。 (A) 9₍₁₀₎ (B) 13₍₁₀₎ (C) 57₍₁₀₎ (D) 43₍₁₀₎。

45.試化簡 F =至最簡型式。 (A) (B) (C) (D) 。

46.若欲設計一個半加器，請輸入為 A(被加數)與 B(加數)，輸出為 C(進位)與 S(餘數)， 則下列何者邏輯電路可滿足需求？ (A) (B) (C) (D)

47.如圖(十九)所示之電路，S 為選擇控制線，I 為資料線，Y₀ 與 Y₁ 為輸出線，試問該電路可對輸入 S 與 I 做為何種用途？
(A) 編碼器 (B) 解碼器 (C) 多工器 (D) 解多工器。

48.如圖(二十)所示為一 JK 型正反器，若將其兩輸入端 J 與 K 相接，即可形成何種正 反器？
(A) SR 型正反器 (B) T 型正反器 (C) D 型正反器 (D) 以上皆非。

49.一般來說，記憶體容量表示方式為 A×B，其中 A 表示可儲存字元數，B 表示每一字元之位元數。若有一半導體晶片容量標示為 2K×8，試問該晶片之儲存總位元數為何？ (A) 2,048 (B) 4,096 (C) 8,192 (D) 16,384。

50.如圖(二十一)(a)為一以 NOR 閘構成，採用正緣觸發之 RS 正反器。各時脈下之輸入 波形如圖(二十一)(b)所示，若 Q 一開始為 1，試問此 RS 正反器 Q 接下來之輸出狀態依序為何？
(A) 1→1→0→0 (B) 1→0→1→1 (C) 0→1→0→1 (D) 0→0→1→1。