110年 - 110 高等考試_三級_材料工程：材料分析#102741

科目：材料分析 | 年份：110年 | 選擇題數：0 | 申論題數：4

試卷資訊

所屬科目：材料分析

選擇題 (0)

申論題 (4)

一、空間解析度（spatial resolution）是成像技術重要規格，請分別對光學顯微鏡（OM），穿透式電子顯微鏡（TEM）及掃描式電子顯微鏡（SEM），論述決定其空間解析度的成因，並敘述如何提升其空間解析度。（25 分）

二、以繞射理論為基礎，為何結晶體中有些平面族不會產生繞射？這個現象也可以從結構因子（structure factor）來求解，請先推導結構因子的數學式，再利用此數學式來論述同屬體心立方結構的 NaCl 及 Si 的可繞射面及不可繞射面的條件。（25 分）

三、二次離子質譜儀（SIMS）與拉賽福背向散射分析儀（RBS）是兩個相似的成分分析技術，同樣以離子為入射源且以離子為接收訊號源，試申論在碰撞機制、結果呈現、提供分析資訊有何差異性。（25 分）

四、X-光光電子能譜儀（XPS）與歐傑電子能譜儀（AES）都是分析化學鍵結非常有用的技術，請先論述個別技術之原理，說明其結果呈現方式，再詳細說明這兩個技術之不同處。電子能量損失能譜圖（EELS）比上述兩個技術上有何分析上的優勢？（25 分）