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114年 - 11500 儀表電子 乙級 工作項目 06：電子學 101-150（2025/11/04 更新）#133300

科目：技檢◆儀表電子-乙級 | 年份：114年 | 選擇題數：50 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：技檢◆儀表電子-乙級

選擇題 (50)

101. 在類比/數位的轉換中若欲增加信號的解析度，則下列的做法何者正確？(A)增高取樣頻率 (B)增加數位的位元數 (C)提高輸入電壓 (D)提高轉換器的速度 。
102. 關於空乏型 N 通道 MOSFET 的敘述，下列何者敘述錯誤？ (A)可當空乏型使用，亦可當增強型使用 (B)VTN為負電壓 (C)主要載體為電洞 (D)VGS=0V 時，通道會導通 。
103. 放大電路的輸入電壓為 1mV，輸出電壓為 10V，則此放大電路的電壓增益為多少 dB？ (A)20 (B)40 (C)60 (D)80 。
104. 積體電路的設計常以主動元件代替電阻負載，其原因為何？ (A)主動元件的動態電阻較小 (B)可使電路的頻率響應更寬 (C)電阻負載的體積較大 (D)可增加輸入阻抗 。
105. 電晶體的 rπ=2.5kΩ、gm=40 mA/V，則其β值為多少？ (A)16 (B)32 (C)100(D)200 。
106. 在 IC 的製程中 MOSFET 和 BJT 電晶體比較，下列哪一個條件非MOSFET 所具有的優點？ (A)輸入阻抗高 (B)體積小 (C)消耗功率低 (D)電壓放大倍數高 。
107. MOSFET 若欲作線性放大器使用時，需工作於何種區域？ (A)順向主動區(B)飽和區 (C)非飽和區 (D)截止區 。
108. 欲得到差動放大器的輸入直流偏移電壓，可將輸出直流偏移電壓除以何者？ (A)gm(B)CMRR (C)Acm(D)Ad。
109. 下列元件何者具有負電阻區之特性？ (A)蕭基二極體 (B)光二極體 (C)透納二極體 (D)稽納二極體 。
110. 哈特萊振盪器，電容量從 l00pF 調整到 400pF，且振盪線圈的電感量為900μH，則其振盪的頻率範圍為何？ (A)265kHz 至 530kHz (B)265kHz 至1060kHz (C)133kHz 至 530kHz (D)133kHz 至 1060kHz 。
111. 下列何種電路可提供一連串的脈波輸出？ (A)無穩態電路 (B)單穩態電路(C)雙穩態電路 (D)樞密特觸發電路 。
112. N 型半導體中少數載體係下列何者？ (A)離子 (B)質子 (C)電洞 (D)電子 。
113. 電晶體之β=50，測得基極電流 IB=0.5mA、集極電流 IC=10mA，則此電晶體工作於何區？ (A)工作區 (B)飽和區 (C)截止區 (D)游離區 。
114. 下列何者為達靈頓電晶體的特性？ (A)輸入阻抗低、輸出阻抗高 (B)輸出阻抗低、電流增益小於 1 (C)輸入阻抗高、電壓增益大於 1 (D)電壓增益小於 1、電流增益大於 1 。
115. IC 內的電晶體製造時，何者的雜質濃度最高？ (A)集極 (B)基極 (C)射極 (D)基底 。
116. 關於電晶體的漏電電流敘述，下列何者正確？ (A)ICEO=βICBO(B)ICBO=βICEO(C)ICBO=αICBO(D)ICBO=αICEO。
117. 在 IC 的製造時常以電晶體取代負載電阻，下列何者不是其取代的原因？(A)使 IC 的體積減小 (B)使輸入阻抗增加 (C)使小訊號電壓放大倍數增加 (D)使輸出阻抗增加 。
118. BJT 差動放大器的輸出電壓若欲維持±1%的誤差，則輸入電壓最大需保持在多少電壓範圍之內？ (A)±13mV (B)±18mV (C)±26mV (D)±36MV 。
119. 橋式整流電路中二極體的逆向破壞電壓，需為外加電壓最大值的幾倍？(A)1 倍 (B)2 倍 (C)3 倍 (D)4 倍 。
120. 下列何種放大器的失真度最嚴重？ (A)A 類 (B)AB 類 (C)B 類 (D)C 類 。
121. 電晶體放大電路的敘述，下列何者錯誤？ (A)電流增益最大的是共基極(B)電壓增益最小的是共集極 (C)輸入阻抗最大的是共集極 (D)輸入阻抗最小的是共基極 。
122. 電晶體開關電路中的各種時間延遲，以何者的延遲最大？ (A)上昇時間(B)延遲時間 (C)下降時間 (D)儲存時間 。
123. 作為運算放大器的輸入級的電路，為下列何者？ (A)箝位電路 (B)差動放大電路 (C)史密特觸發電路 (D)取樣電路 。
124. 下列何者不是推挽式放大器的特性？ (A)具有抵銷偶次諧波失真的作用(B)具有抵銷電源漣波的作用 (C)可工作在 C 類放大 (D)輸出功率為兩個主動元件輸出之和 。
125. 下列何種放大器將產生交叉失真？ (A)A 類 (B)AB 類 (C)B 類 (D)C 類 。
126. 帶通濾波器的中心頻率為 fr，品質因素為 Q 則其頻帶寬度 BW 為下列何者？ (A)fr/Q (B)fr/Q2 (C)fr/Q3 (D)fr/Q4 。
127. 負回授放大器的回授率為 0.2，而未回授前的增益為 100，則此負回授放大器的增益為何？ (A)4.76 (B)5.26 (C)10 (D)20 。
128. 放大器加入負回授的作用為何？ (A)增加穩定度 (B)提高增益 (C)產生振盪(D)增加功率 。
129. 放大器之輸入阻抗將因負回授而有何變化？ (A)必然增大 (B)必然減小 (C)視回授型態而定 (D)不受影響 。
130. 使電晶體負回授放大器的輸入電阻及輸出電阻皆減少的回授電路，為下列何者？ (A)電壓串聯 (B)電壓並聯 (C)電流串聯 (D)電流並聯 。
131. 正反器係由下列何種電路所組成？ (A)無穩態多諧振盪器 (B)單穩態多諧振盪器 (C)雙穩態多諧振盪器 (D)間歇振盪器 。
132. 計算負載上的功率消耗，需採用何種交流電壓值？ (A)最大值 (B)平均值(C)有效值 (D)瞬間值 。
133. SCR 觸發導通的瞬間，須在電路中加入何種元件來抑制過大的 di/dt？(A)電感器 (B)電阻器 (C)電容器 (D)二極體 。
134. 電感性直流負載的控制電路中，需在負載兩端並聯何種元件來消除負載所產生的反電勢？ (A)電感器 (B)電阻器 (C)電容器 (D)二極體 。
135. 稽納(Zener)二極體的穩壓電路中，若 VI為 40V~60V，RL為 500Ω~1000Ω，則稽納二極體在何種情況下功率消耗最大？ (A)VI=60V、RL=500Ω(B)VI=60V、RL=1000Ω (C)VI=40V、RL=500Ω (D)VI=40V、RL=1000Ω 。
136. 電晶體放大器的 h 參數表示為：Vi=hiIi+hrVo，Io=hfIi+hoVo，而其 RL=-Vo/Io，此電路之電流增益 Af=-Io/Ii為何？ (A)-hf/(1+RLho) (B)-hf/(1-RLho)(C)hf/(1+RLho) (D)hf/(1-RLho) 。
137. 稽納二極體的稽納崩潰敘述，下列何者錯誤？ (A)大多發生在高摻雜的二極體 (B)崩潰電壓一般小於 5V (C)若發生崩潰現象則不能使用 (D)崩潰現象係由於高電場所造成 。
138. 下列何種電晶體放大器的電壓增益和電流增益皆大於 1？ (A)共射極 (B)共集極 (C)共基極 (D)達靈頓 。
139. 關於 N 通道 MOSFET 的敘述下列何者錯誤？ (A)增強型做放大器使用時VGS加正電壓 (B)空乏型閘極開路時，在源極及汲極間加上電壓，將不導通 (C)空乏型與增強型皆採用 P 型基底 (D)空乏型的 VGST臨界電壓為負值 。
140. 下列敘述何者錯誤？ (A)MOSFET 係雙載子元件 (B)MOSFET 在 IC 的製程較 BJT 電晶體簡單 (C)在 IC 的製造時常以電晶體取代負載電阻 (D)MOSFET 係電壓控制元件 。
複選題
141. 下列元件中，何者是靠電流來驅動？ (A)CMOS (B)BJT 電晶體 (C)LED (D)矽控整流器 。
複選題
142. 下列哪些是 MOSFET 的分類用語？ (A)N-MOS (B)P-MOS (C)BJT-MOS (D)CMOS 。
複選題
143. 於一無線電波，如其波長為λ，頻率為 f，速度為 c，則三者的關係為下列何者？ (A)λ=f．c (B)c=f．λ (C)f=c / λ (D)c=f / λ 。
複選題
144. 電晶體之 IC=2mA，IE=2.02mA，下列各值何者正確？ (A)IB=2mA (B)βdc=100 (C)βdc=1000 (D)IB=0.02mA 。
複選題
145. 電晶體當作電子開關時，它是工作於那些操作區？ (A)截止區 (B)線性區(C)飽和區 (D)動作區 。
複選題
146. CMOS 的敘述，下列何者正確？ (A)由 n-MOS 與 p-MOS 組成 (B)為互補型 MOS (C)可當開關使用 (D)是由電流控制 。
複選題
147. 對於霍爾效應的說明，以下何者正確？ (A)判斷半導體型態材料 (B)可由霍爾電壓(VH)求載子濃度 (C)可由霍爾電壓(VH)求電流 (D)測試時，是半導體材料置放於磁場中 。
複選題
148. 一個理想運算放大器的特性，下列何者正確？ (A)CMRR=0 (B)輸出阻抗=0 (C)電壓增益=∞ (D)輸入阻抗=∞ 。
複選題
149. 下列元素何者帶有 5 價電子？ (A)碳( C ) (B)銻(Sb) (C)砷(As) (D)磷(P) 。
複選題
150. 下列元素，何者是受體(Acceptor)？ (A)硼( B ) (B)鎵(Ga) (C)鉛(Pb) (D)銦(In) 。

申論題 (0)