112年 - 112 鐵路特種考試_高員三級_電力工程：電子學#114880

科目：電子學 | 年份：112年 | 選擇題數：0 | 申論題數：10

試卷資訊

所屬科目：電子學

選擇題 (0)

申論題 (10)

(一)請比較 MOS 共源極（Common source）、共源極含源極退化電阻（Common 、共閘極（Common gate） source with source degeneration resistance）、共汲極（Common drain）四種放大器的優缺點。（10 分）
(二)請畫出一個 CMOS 互補式金氧半場效電晶體的剖面（cross-section） 圖。 （10 分）
(一)請說明理想運算放大器有那些特性。（10 分）
(二)請畫出一個以運算放大器為基礎之單位增益放大器電路，並描述此電路之功能。（10 分）
(一)請畫出一個 CMOS 互補式金氧半場效電晶體反相器（Inverter）電路， 並畫出其輸入輸出電壓轉移特性曲線圖。（10 分）
(二)何謂 MOS 的通道長度調變效應（Channel length modulation effect）及 基底效應（Body effect）？（10 分）
(一)何謂 BJT 雙載子接面電晶體的厄立效應（Early effect）及埃伯斯-莫爾模型（Ebers-Moll model）？（10 分）
(二)請說明使用差動放大器優於單端放大器的原因。（10 分）
(一)請說明負回授在放大器設計時有那些效應。（10 分）
(二)何謂放大器之主極點（dominant pole）補償及極點零點（pole-zero）補償？（10 分）