非選
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分別表示「非 B」
與「非 Q」。電路中所有 MOS 電晶體已經妥善設計，使 SRAM 可正確操
作於閒置（standby）、寫入（writing）與讀取（reading）三種模式。欲進
入閒置與讀取“Q = 1”兩種模式，分別說明變數 A 與 B 之設定、其順序及理由。（20 分）
109 年 - 109 專技高考_專利師(選試專業英文及電子學)、專利師（選試專業日文及電子學）：電子學#90224-阿摩線上測驗
109 年 - 109 專技高考_專利師(選試專業英文及電子學)、專利師（選試專業日文及電子學）：電子學#90224
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一、圖一電晶體直流增益β = 20，輸出電阻 ro→ ∞，熱電壓（Thermal voltage）
VT = 25 mV，主動區 VEB = 0.7 V，飽和區 VEB = 0.7 V 且 VEC = 0.3 V，小訊號 vsig(t) = 0.1 sinωt mV，輸入端電容 Cin → ∞，電感 LB→ ∞。先列式作
直流分析，求算流出電晶體之直流電流 IB與 IC、以及流入之直流電流 IE，
判斷電晶體之工作區，再畫出 vo(t)波形。（20 分）
二、圖二(1)的運算放大器具有理想特性，R1 = R2 = 10 kΩ。正負偏壓為
，
vs(t)為週期 T 之連續三角波如圖二(2)。先畫出 vo-vs之轉換特性曲線，再
依照 vs(t)波形畫出對應的 vo(t)波形。（20 分）
三、圖三為回授放大器的方塊圖，放大器 A 之開迴路增益（open-loop gain）
為 A = xo/xi，且其輸出電阻為 Ro，在負載(RL)端為電壓取樣（voltage
sampling）xo = vo，回授網路的輸出電阻 Roβ → ∞。信號源 xs、回授信號
xf = βxo、以及 A 之輸入 xi = xs – xf 三者可以同樣是電壓 v 或電流 i，畫出
放大器 A 與β網路兩者之輸出端等效戴維寧（Thevenin）或諾頓（Norton）
電路，並據以列式推導此回授放大器輸出電阻 Rof公式。（20 分）
四、圖四無穩態複振器（astable multivibrator）三反相器輸出邏輯“0”與“1”分
別為 0 與+5 V，輸出電阻為零，輸入電阻無限大，輸入低於 2 V 視為
“0”，高於 4 V 視為“1”，電壓介於 2 V 與 4 V 之間時，反相器不改變輸
出。R = 1 kΩ，C = 10 μF。電路圖下方為 v2(t)，畫出對應的 v1(t)波形，並
求算 T1與 T2。ln2 = 0.6931，ln3 = 1.099。（20 分）