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【段考】國二地理上學期
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108年 - 2019桃園市市立中興國中八年級108 上學期地理第一次段考(期中考)康軒#81924
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答案:
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統計:
A(17), B(36), C(17), D(26), E(0) #2142175
詳解 (共 2 筆)
braces (110警四特正取前百)
B2 · 2021/10/01
#5125656
圖中描繪之地最可能為乙處的景象
(共 17 字,隱藏中)
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4
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weiyiping12
B1 · 2020/09/17
#4275738
B
(共 3 字,隱藏中)
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相關試題
1 下列有關理想運算放大器的特性,何者正確? (A)輸入阻抗:0 (B)開迴路電壓增益:0 (C)共模電壓增益:0 (D)共模拒斥比 CMRR:0
#2142176
2 某運算放大器的共模增益 Acm = -0.01,差模增益 Ad = 100,則其 CMRR 為若干 dB? (A)-80 (B)-20 (C) 20 (D) 80
#2142177
3 圖示為理想運算放大器電路,若 R1 = 1 kΩ、R2 = 3 kΩ、Ra = 1 kΩ、Rb = 3 kΩ,v1 = 4 V,v2 = -2 V,則輸出電壓 vO為若干 V? (A) 0 (B) 5 (C) 10 (D) 12
#2142178
4 圖示電路中場效電晶體(FET)之 VTH = -0.7 V,下列電壓何者可使電晶體工作在飽和區(SaturationRegion)? (A) VG = 5 V、VD = 4 V (B) VG = 4 V、VD = 4 V (C) VG = 3 V、VD = 4 V (D) VG = 2 V、VD = 4 V
#2142179
5 圖示為理想運算放大器電路,若運算放大器的正負輸出飽和電壓為± 10V,二極體導通時兩端電壓為0.7 V,輸入電壓 vI為 +1 V,則 vO為若干 V? (A)-10 (B) 0 (C)+1 (D)+10
#2142180
6 有一矽雙極性接面電晶體(Si-BJT)電路及輸入接腳 VI1、VI2 的電壓波形如下所示,VCC = 5 V,R1 = R2 = 1 kΩ,R3 = R4 = 100 Ω,CL = 5 μF,電晶體電流增益 βQ1 = βQ2 = 100。試研判電晶體 Q2在時間點 T 最可能的工作模式: (A)飽和模式(Saturation mode) (B)線性模式(Linear mode) (C)主動模式(Active mode) (D)截止模式(Cut-off mode)
#2142181
7 如圖所示為一 CMOS 反相器,電晶體之 μnCox = μpCox;兩電晶體之 W/L 相同;Vtn = |Vtp|。反相器之負載為電容 CL。若輸入的信號 vi為方波,其高電位為 VDD、低電位為 0,週期為 T。問流過電晶體 QP的平均電流? (A) 0 (B)(μpCox/2)(W/L)(VDD-|Vtp|)2 (C) VDDCL/(2T) (D) VDDCL/T
#2142182
8 一個 NPN 雙極性電晶體,若 β = 50 且操作在主動作用區(active region),下列何者正確? (A)集極電流與射極電流的比值為 1.02 (B)集極對射極的電壓應為正值 (C)電流的方向為由射極流入集極 (D)基射極應為反偏
#2142183
9 類比積體電路中,使用電流鏡或電流源來代替電阻性負載,下列何者錯誤? (A)為了減少電路占用的面積 (B)可降低電源電壓 (C)為了提供比電阻性負載更小的等效電阻 (D)可提高放大器增益
#2142184
10 有一個電壓訊號 v 對時間 t 的函數為 v(t) = 6 sin(2πf1t) + 12 sin(2πf2t) 伏特,f1 = 5 kHz,f2 = 8 kHz。將此電壓訊號加到一個 1 Ω 的電阻之上。問此電阻承受的訊號功率為何? (A) 36 W (B) 90 W (C) 144 W (D) 180 W
#2142185
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