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【段考】國二社會上學期
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108年 - 2019桃園市市立平南國中八年級108 上學期社會第三次段考(期末考)康軒#87464
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統計:
A(2), B(2), C(2), D(1), E(0) #2364612
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#2364618
1. 下列有關pn 接面二極體(pn junction diode)特性之敘述,何者正確? (A)在p型矽 (((p-type silicon)區域沒有電子存在 (B)當矽的摻雜濃度越高時,其接面內建電壓 (built-in voltage)的值越小 (C)以接面處為起點,空乏區的寬度會比較深入摻雜濃 度較低的一邊 (D)空乏區(depletion region)的寬度隨著逆向偏壓的絕對值之增加而 減少。
#2364619
2. 下列對於BJT 與MOSFET 電路的一般特性之比較敘述,何者正確? (A)在同樣的偏 壓電流下,BJT 放大器有較高的轉導(transconductance)值 (B)作為電壓傳輸之理想 開關元件時,BJT 的特性比MOSFET 好 (C)在相似的電路組態下,MOSFET 放大器 有較低的輸入電阻值 (D)在相似的電路組態下,BJT 放大器有較差的高頻響應。
#2364620
3. 場效電晶體(FET)與雙極性接電晶體(BJT)之特性比較,下列何者錯誤? (A) FET 產生的雜訊干擾比 BJT 大 (B)BJT 比 FET 有較高的互導參數 gm值 (C)FET 頻 率響應及操作速度較 BJT 慢 (D)BJT 在主動區時,其直流工作點上的小訊號放大有 較好的線性特性。
#2364621
4. 下列有關 BJT 結構與特性之敘述,哪些是正確的?1.PNP 型 BJT 的射極內部電子 為多數載子 2.射極高摻雜可提高 BJT 電流放大率 3.BJT 為電流控制元件 4.PNP 型 BJT 的符號中箭頭方向指向射極 5.崩潰電壓,集極接合面高於射極接合面 (A)234 (B)345 (C)235 (D) 135。
#2364622
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