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【段考】國二社會上學期
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108年 - 2019桃園市市立平南國中八年級108 上學期社會第三次段考(期末考)康軒#87464
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答案:
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統計:
A(1), B(1), C(0), D(4), E(0) #2364617
詳解 (共 1 筆)
陳承志
B1 · 2020/09/09
#4261821
(A)身分可以世世代代承襲(不行! )(...
(共 101 字,隱藏中)
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#2364618
1. 下列有關pn 接面二極體(pn junction diode)特性之敘述,何者正確? (A)在p型矽 (((p-type silicon)區域沒有電子存在 (B)當矽的摻雜濃度越高時,其接面內建電壓 (built-in voltage)的值越小 (C)以接面處為起點,空乏區的寬度會比較深入摻雜濃 度較低的一邊 (D)空乏區(depletion region)的寬度隨著逆向偏壓的絕對值之增加而 減少。
#2364619
2. 下列對於BJT 與MOSFET 電路的一般特性之比較敘述,何者正確? (A)在同樣的偏 壓電流下,BJT 放大器有較高的轉導(transconductance)值 (B)作為電壓傳輸之理想 開關元件時,BJT 的特性比MOSFET 好 (C)在相似的電路組態下,MOSFET 放大器 有較低的輸入電阻值 (D)在相似的電路組態下,BJT 放大器有較差的高頻響應。
#2364620
3. 場效電晶體(FET)與雙極性接電晶體(BJT)之特性比較,下列何者錯誤? (A) FET 產生的雜訊干擾比 BJT 大 (B)BJT 比 FET 有較高的互導參數 gm值 (C)FET 頻 率響應及操作速度較 BJT 慢 (D)BJT 在主動區時,其直流工作點上的小訊號放大有 較好的線性特性。
#2364621
4. 下列有關 BJT 結構與特性之敘述,哪些是正確的?1.PNP 型 BJT 的射極內部電子 為多數載子 2.射極高摻雜可提高 BJT 電流放大率 3.BJT 為電流控制元件 4.PNP 型 BJT 的符號中箭頭方向指向射極 5.崩潰電壓,集極接合面高於射極接合面 (A)234 (B)345 (C)235 (D) 135。
#2364622
5. 某高工生欲設計超前型與落後型之RC相移震盪電路,若所有使用的電子元件完全相同 ,且忽略負載效應(放大器與回授網路各自分開分析),則超前型RC相移震盪電路的輸 出頻率為落後型的幾倍? (A)6倍 (B) 1 倍 (C) 倍 (D) 倍。
#2364623
6. 對一般基本放大器加上負回授後,下列特性敘述,何者有誤? (A)放大器的增益 (Gain)會衰減 (B)頻寬(Band Width)增加 (C)增益與頻寬的乘積(GBP)提高 (D)雜訊 (Noise)對電路的影響降低。
#2364624
7. 如下圖所示之電路為兩燈一電容法測定三相相序之電路,若L1比L2亮,則相序為? (A)R-S-T (B)R-T-S (C)T-S-R (D)S-R-T。
#2364625
8. 在輸配電系統中,以相同之負載功率及線路損失而言,三相之用銅量較單相節省百分 之幾? (A)75 (B)25 (C)50 (D)62.5。
#2364626
9. 下列敘述何者錯誤? (A)功率因數(PF)是控制電器是否有效使用電力的重要因素 (B)功率是單位時間內所傳輸的能量 (C)功率因數越大,會增加變壓器及輸電線路的 損失,但可增加設備壽命 (D)功率因數與計算電費有關,通常電力公司規定,用戶的 負載功率因數標準,作為加收電費或電費折扣之依據。
#2364627
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