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109年 - 109 教育部受託辦理公立高級中等學校教師甄選:機電科、電機科、控制科#87465
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3. 場效電晶體(FET)與雙極性接電晶體(BJT)之特性比較,下列何者錯誤?
(A) FET 產生的雜訊干擾比 BJT 大
(B)BJT 比 FET 有較高的互導參數 gm值
(C)FET 頻 率響應及操作速度較 BJT 慢
(D)BJT 在主動區時,其直流工作點上的小訊號放大有 較好的線性特性。
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統計:
A(2), B(0), C(1), D(2), E(0) #2364621
詳解 (共 1 筆)
YOUTUBE>建斌工業控制
B1 · 2020/10/13
#4314720
FET為單載子元件 相比於BJT的雙載子...
(共 47 字,隱藏中)
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1. 下列有關pn 接面二極體(pn junction diode)特性之敘述,何者正確? (A)在p型矽 (((p-type silicon)區域沒有電子存在 (B)當矽的摻雜濃度越高時,其接面內建電壓 (built-in voltage)的值越小 (C)以接面處為起點,空乏區的寬度會比較深入摻雜濃 度較低的一邊 (D)空乏區(depletion region)的寬度隨著逆向偏壓的絕對值之增加而 減少。
#2364619
2. 下列對於BJT 與MOSFET 電路的一般特性之比較敘述,何者正確? (A)在同樣的偏 壓電流下,BJT 放大器有較高的轉導(transconductance)值 (B)作為電壓傳輸之理想 開關元件時,BJT 的特性比MOSFET 好 (C)在相似的電路組態下,MOSFET 放大器 有較低的輸入電阻值 (D)在相似的電路組態下,BJT 放大器有較差的高頻響應。
#2364620
4. 下列有關 BJT 結構與特性之敘述,哪些是正確的?1.PNP 型 BJT 的射極內部電子 為多數載子 2.射極高摻雜可提高 BJT 電流放大率 3.BJT 為電流控制元件 4.PNP 型 BJT 的符號中箭頭方向指向射極 5.崩潰電壓,集極接合面高於射極接合面 (A)234 (B)345 (C)235 (D) 135。
#2364622
5. 某高工生欲設計超前型與落後型之RC相移震盪電路,若所有使用的電子元件完全相同 ,且忽略負載效應(放大器與回授網路各自分開分析),則超前型RC相移震盪電路的輸 出頻率為落後型的幾倍? (A)6倍 (B) 1 倍 (C) 倍 (D) 倍。
#2364623
6. 對一般基本放大器加上負回授後,下列特性敘述,何者有誤? (A)放大器的增益 (Gain)會衰減 (B)頻寬(Band Width)增加 (C)增益與頻寬的乘積(GBP)提高 (D)雜訊 (Noise)對電路的影響降低。
#2364624
7. 如下圖所示之電路為兩燈一電容法測定三相相序之電路,若L1比L2亮,則相序為? (A)R-S-T (B)R-T-S (C)T-S-R (D)S-R-T。
#2364625
8. 在輸配電系統中,以相同之負載功率及線路損失而言,三相之用銅量較單相節省百分 之幾? (A)75 (B)25 (C)50 (D)62.5。
#2364626
9. 下列敘述何者錯誤? (A)功率因數(PF)是控制電器是否有效使用電力的重要因素 (B)功率是單位時間內所傳輸的能量 (C)功率因數越大,會增加變壓器及輸電線路的 損失,但可增加設備壽命 (D)功率因數與計算電費有關,通常電力公司規定,用戶的 負載功率因數標準,作為加收電費或電費折扣之依據。
#2364627
10. 某工廠欲裝設電容器以改善功率因數,因此電容器裝設之位置應置於何處才能得到實 際效果,如下圖所示之電路為電容器可能裝設之四個位置,請依最理想的位置依次排 列。 (A)C1,C2,C3,C4 (B)C2,C1,C3,C4 (C)C3,C4,C1,C2 (D)C4,C3,C1 ,C2。
#2364628
11. 交流電路中,下列敘述何者有誤? (A)相位差為指兩個不同頻率之交流電,波形間之 相角差,以θ表示 (B)瞬間功率為阻抗兩端瞬間電壓值與通過阻抗瞬間電流值的乘積 ,以P(t)表示 (C)有效功率是所有瞬間功率的平均值,可化簡為P=EIcosθ (D)視在功 率為電壓有效值與電流有效值的乘積,為電力設備的額定容量,以S表示。
#2364629
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