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上一題
1 一個 N 通道 MOSFET 元件,其源/汲極結構會是金屬與何種半導體接觸形成?
(A) N-井區
(B) P-井區
(C) N+區
(D) P+區


答案:登入後觀看
難度: 簡單
3F
林敬昆 高一上 (2021/11/02)

就我理解,井區正負代表參雜濃度,參雜少代表阻抗大,高則阻抗小,如果是A那代表source井區不容易導通,那就不太OK,就和BJT會希望射極E端不要有太多阻力將他濃度拉高一樣意思。

4F
DS2 幼兒園下 (2021/11/03)

感謝您上方的回答,但是n型不是帶負電的嗎?(多數載子是自由電子),所以自由電子越多不是才是參雜越多嗎?為何反而是N+是參雜越多呢?

5F
林敬昆 高一上 (2021/11/03)

??? 不太理解,參雜是將原子替換 N型(Negedge type)只是將 5A族元素替代矽,因為會與周圍矽形成四個共價(外圍電子8個放滿),所以未導通時原先外圍的一顆電子會直接放出形成電中性,但其在導通時會希望從旁抓電子形成原子狀態,所以參雜越多會容易從電源處抓載子,也就是越接近金屬狀態,越低則反,後面的正負只代表參雜物數量多寡而已(N+、N、N-/P+、P、P-),和參雜3A或5A無關。

1 一個 N 通道 MOSFET 元件,其源/汲極結構會是金屬與何種半導體接觸形..-阿摩線上測驗