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102年 - [無官方正解]102 國立嘉義大學_光電暨固態電子碩士班(甲組)招生考試試題_電子物理學系：電子學#146338
> 試題詳解
1. 造成半導體中的漂移電流主要的原因是
(A)溫度
(B)磁場
(C)濃度不均勻
(D)電場。
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2. 矽的p-n二極體導通時，其順向壓降約為 (A) 0.7 mV (B) 7 mV (C) 70 mV (D) 700 mV。
#4063270
3. 半導體中內建電位的來源為p-n接面的(A)濃度不均勻 (B)空乏區 (C)磁場 (D)溫度不均勻。
#4063271
4.則 \( I_D=? \)(A) 4.7 mA (B) 5.7 mA (C) 6.7 mA (D) 7.7 mA。
#4063272
5. 同上題，電阻RL上壓降的交流電壓vL為(A) 1.88 (B) 1.99 (C) 0.88 (D) 0.99 sinωt (mV)。
#4063273
6. 下列何者錯誤？(A)雙極性電晶體以輸入電流來控制輸出電壓 (B)雙極性電晶體是雙載子元件(C)場效電晶體以輸入電流來控制輸出電壓 (D)場效電晶體是單載子元件
#4063274
7. 場效電晶體是利用那一極來控制電流大小？(A)閘極 (B)汲極 (C)源極 (D)基極
#4063275
8.圖(二)的電晶體電路，\( R_B=10\text{ K}\Omega \)，\( R_C=2\text{ K}\Omega \)，\( V_{BE}=0.7\text{ V} \)，\( \beta=49 \)，求 \( I_C=? \) (A) 4.2 mA(B) 5.2 mA(C) 6.2 mA(D) 7.2 mA
#4063276
9. 同上題，電壓增益vo/vs=?(A) -167 (B) -263 (C) -321 (D) -210
#4063277
10. 同上題，輸入電阻Rin=?(A) 0.014 KΩ (B) 0.024 KΩ (C) 0.034 KΩ (D) 0.044 KΩ
#4063278
11.在電子電路中，增益掉 3dB 代表此電路因頻率響應其輸出訊號之大小為輸入訊號大小 (A) 0.5(B) 2(C) \( \sqrt{2} \)(D) \( \frac{1}{\sqrt{2}} \)(E) 3 倍
#4063279
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