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試卷名稱：112年 - 112 身心障礙學生升學大專校院甄試試題_四技二專組_電機與電子群資電類_專業科目(二)：微處理機、數位邏輯設計、程式設計實習#118647

年份：112年

科目：微處理機

10.有關記憶體特性的說明及比較，下列敘述何者錯誤？
(A)SRAM是以電容的充放電特性來儲存數位資料
(B)記憶體的存取速度由快到慢：暫存器、SRAM、DRAM、硬碟
(C)DRAM需要進行資料的更新(refresh)，SRAM則不需要
(D)FlashMemory為可重複清除及寫入的記憶體

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B1 · 2025/10/30

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未解鎖

1. 題目解析這道題目考查對記憶體特性...

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