11. 承題(10)，假設電晶體之 β = 100，導通之 V_BE ≈ 0.7 V，V_T = 26 mV，r_o 可忽略不計，試求其電流增益 i_o / i_i 值為何？ (A) $-11$ (B) $-21$ (C) $+11$ (D) $+21$

13. 如圖(九)所示電路，假設 PMOS 與 NMOS 場效電晶體之臨界電壓(threshold voltage) $|V_{tp}|=|V_{tn}|=1\text{ V}$，$\mu_n C_{ox}(W/L)_n=20\text{ \textmu A/V}^2$，$\mu_p C_{ox}(W/L)_p=10\text{ \textmu A/V}^2$，當 $V_I=2\text{ V}$，在不考慮通道長度調變效應(channel-length modulation)下，試問 PMOS 與 NMOS 電晶體各工作在什麼區域？ (A) PMOS：飽和區 NMOS：飽和區 (B) PMOS：三極體區 NMOS：三極體區(triode region) (C) PMOS：飽和區 NMOS：三極體區 (D) PMOS：三極體區 NMOS：飽和區

11. 承題(10)，假設電晶體之 $\beta = 100$，導通之 $V_{BE} \approx 0.7 \text{ V}$，$V_T = 26 \text{ mV}$，$r_o$ 可忽略不計，試求其電流增益 $i_o / i_i$ 值為何？
(A) $-11$
(B) $-21$
(C) $+11$
(D) $+21$

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11. 承題(10)，假設電晶體之 $\beta = 100$，導通之 $V_{BE} \approx 0.7 \text{ V}$，$V_T = 26 \text{ mV}$，$r_o$ 可忽略不計，試求其電流增益 $i_o / i_i$ 值為何？(A) $-11$(B) $-21$(C) $+11$(D) $+21$

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11. 承題(10)，假設電晶體之 $\beta = 100$，導通之 $V_{BE} \approx 0.7 \text{ V}$，$V_T = 26 \text{ mV}$，$r_o$ 可忽略不計，試求其電流增益 $i_o / i_i$ 值為何？
(A) $-11$
(B) $-21$
(C) $+11$
(D) $+21$