15. TESLA Model 3 開啟碳化矽金氧半場效電晶體(SiC MOSFET) 在電動車驅動器的應 用，下列有關該電晶體特性之敘述，何者有誤？
(A)溫度增高時該電晶體的導通電阻變化較傳統 MOSFET 為小；
(B)該電晶體關閉時 不會產生尾電流，因此開關損耗較傳統 IGBT 為小；
(C)該電晶體與傳統 MOSFET 相 比，由於漂移層電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓(即閘極－源極間電壓 Vgs) 越高，導通電阻越低的特性；
(D)該電晶體與傳統 MOSFET 相比，前者切換頻率較 後者為低

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統計： A(26), B(48), C(88), D(299), E(0) #3019196

詳解 (共 1 筆)

#5820884

選項(D) "該電晶體與傳統 MOSFET 相比，前者切換頻率較後者為低" 是不正確的。

碳化矽(SiC)金氧半場效電晶體(MOSFET)與傳統的矽(Si) MOSFET相比，碳化矽(SiC)MOSFET具有更高的切換頻率。由於碳化矽(SiC)的帶隙更大，它具有更高的電場強度和熱導率，使得它能夠在更高的切換頻率下工作，而不會產生過多的熱量。因此，使用SiC MOSFET的電動車驅動器可以達到更高的效率和更小的體積。

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