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104年 - [無官方正解]104 國立嘉義大學_光電暨固態電子碩士班招生考試試題_電子物理學系:電子學#146062
> 試題詳解
2. 在矽材料中加入三價元素,何者正確?
(A)濃度不變
(B)電洞濃度增加
(C)電子濃度增加
(D)電子與電洞濃度都增加。
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3. 圖一中二極體 D1 的導通電壓為 0.7 V,則輸出電壓 Vo 為?(A) 5.65 V (B) 3.65 V (C) 2.65 V (D) 1.65 V。
#4062070
4. 下列何者正確(A)自由電子位於價電帶(B)傳導帶中存在電洞(C)照光時價電帶中的電洞被激發到傳導帶(D)價電帶與傳導帶之間的能帶差稱為能帶間隙。
#4062071
5. 要使 N 通道增強型 MOSFET 導通,其閘極應外加 (A)零電壓 (B)負電壓 (C)磁場 (D)正電壓。
#4062072
6. 下列敘述何者不正確?(A)BJT 電晶體為雙載子電晶體 (B)空乏型 MOSFET 閘極沒有外加電壓會導通(C)共集極放大器的電壓增益很大 (D) MOSFET 的閘極電流為零。
#4062073
7. 如圖二運算放大器電路,其輸入電壓 Vi =5 mV,則輸出電壓為(A) 50 mv (B) -50 mV (C) 40 mV (D) -40 mV。
#4062074
8. 圖三的電晶體工作於主動區,若 VBE = 0.7 V,則 RB 為(A)37.2 kΩ (B)47.2 kΩ (C)27.2 kΩ (D)17.2 kΩ。
#4062075
9. 電晶體的歐萊效應(Early effect)是因為當 B–C 接面逆向偏壓增加時,何者有誤?(A)空乏區增大 (B)有效寬度 WB 增大 (C) α 略增 (D) β 略增。
#4062076
10. 有關 MOSFET 之敘述,下列何者錯誤?(VGS 為閘極至源極之電壓)(A)空乏型 MOSFET 本身結構中並無通道存在(B)欲關掉空乏型 n 通道 MOSFET 其 VGS 要接負電壓(C)增強型 p 通道 MOSFET 其 VGS 若接正電壓則無法建立通道(D)增強型 p 通道 MOSFET 之臨界電壓(VT)值為負。
#4062077
11. 擴散電流之產生乃是 (A)半導體內載子濃度不同 (B)半導體內出現外加電壓 (C)半導體內出現溫度差 (D)以上皆非。
#4062078
12. 當 P 型及 N 型材料相接觸時,即會產生一空乏層,而 N 型半導體之空乏層內應有(A)電洞 (B)電子 (C)負離子 (D)正離子 。
#4062079
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