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53 增強型金氧半場效型電晶體（MOSFET）偏壓電路如【圖 53】，已知電晶體的參數 K=0.5 2 mA /V² ，臨界電壓（threshold viltage）V_t=2V、V_DS=4V，則此 R_D 為：
(A)1kΩ
(B)2kΩ
(C)3kΩ
(D)4kΩ