54 增強型金氧半場效型電晶體（MOSFET）的參數 K=0.2 2 mA /V² ，臨界電壓（threshold voltage）V_t=4V，若閘極－源極電壓 V_GS=8V，則汲極電流 I_D為：
(A)1.6mA
(B)3.2mA
(C)4.2mA
(D)5.2mA

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