25.在P型與N型半導體接合時，接合面形成的空乏區，其作用爲何？
(A)抑制漂移電流
(B)增加漂移電流
(C)增加擴散電流
(D)抑制擴散電流

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統計： A(55), B(6), C(25), D(232), E(0) #969892

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#2515659
擴散電流因濃度不均造成，PN接合後P只剩...
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私人筆記#2594943
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逆向思考 散電流是濃度分布不均造成 ...
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