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初等/五等/佐級◆電子學大意題庫下載題庫

上一題
28 若某一 n 通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET）之臨界電壓（Threshold Voltage）Vt = 1 V，且其汲極-源極電 壓差 VDS = 4 V，閘極-源極電壓差 VGS = 2V，則此電晶體係操作在下列何種區域？
(A)截止區域（cut-off region）
(B)三極管區域（triode region）
(C)歐姆區域（ohmic region）
(D)飽和區域（saturation region）

答案：登入後觀看
難度： 非常簡單
4F
OZAKI 國三下 (2017/06/11)

這樣題目 B C 不是一樣了  謝謝 你的回答

5F
劉政文 高一上 (2018/05/15)

Vgd = Vgs - Vds = 2 - 4 = -2 < Vt = 1

Vgs = 2 > Vt = 1


自己白癡在想歐姆...

6F
Nan 小一上 (2019/12/17)

操作在飽和區的條件: 

1. VGS>VT

2. VGD=VGS-VGD<VT


28 若某一 n 通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET）之臨界電壓（Thres..-阿摩線上測驗