【系統公告】頁面上方功能列及下方資訊全面更換新版，舊用戶可再切回舊版。前往查看

29 若 NMOS 場效電晶體（FET）之汲極源極電壓 VDS＞閘極源極電壓 VGS＞門檻（threshold）電壓 Vth，下列何者正確？
(A)電晶體操作在非飽和區
(B)電晶體操作在飽和區
(C)電晶體截止
(D)電晶體操作在飽和區和非飽和區交界處

答案：B
難度： 非常簡單

最佳解!
	Rascal 大三上 (2017/05/06) VGS > VT 在NMOS 代表★★★★☆☆☆ &... (內容隱藏中) 查看隱藏文字

你可以購買他人私人筆記。

初等/五等/佐級◆電子學大意題庫下載題庫