33.有一放大器電路如圖(十九)所示,已知 M1 與M2 皆為長通道(long-channel) 金氧半場效電晶體(MOSFET)而且分別工作在飽和區(saturation region),M1 與M2之互導 (trans-conductance)分別為:gml = 2×10A/V與gm2 =1x103 A/V,若不考慮基板效應與通道長度調變效應,則低頻小訊號電壓增益為何? (A)-18 (B) 18 (C) -180 (D) 180 VDD A (dB) 3 dB 100ΚΩΣ 80 M2 slope =-20 dB/ decade 輸入 M1 輸出 10ΚΩ 이 f(Hz) 이 100k 圖(十九) 圖(二十)