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A.電工原理、B.電子概論
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101年 - 101 台灣中油股份有限公司_雇用人員甄選_儀電類:電工原理、電子概論#71754
> 試題詳解
34.接合面場效應電晶體(Juntion Field Effect Tranisitor 簡稱 JFET)欲控制通道的電流大小,主要是控制下列何者 ?
(A)通道中載子的濃度
(B)通道之導電係數
(C)通道的寬度
(D)由閘極感應的電荷形成通道
答案:
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統計:
A(13), B(3), C(157), D(28), E(0) #1868595
詳解 (共 1 筆)
江
B1 · 2019/10/17
#3625189
場效應由來就是 VGS逆向電場->...
(共 61 字,隱藏中)
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35.已知 MOSFET 的特性之敘述,下列何者錯誤 ? (A)N 通道增強型 MOSFET 當閘源極電壓VGS > 臨界電壓 Vt 時,產生 ID 電流 (B) P 通道空乏型 MOSFET 之閘源極電壓VGS 可接負電壓或正電壓 (C)N 通道增強型 MOSFET 之臨界電壓(Vt)為負值 (D)增強型 MOSFET 半導體結構上沒有預設通道
#1868596
36.有關運算放大器(OPA)之敘述,下列何者錯誤 ? (A)理想運算放大器的開迴路增益為無窮大 (B)理想運算放大器的輸入阻抗為無窮大 (C)理想運算放大器在正回授系統中具有虛短路的特性 (D)理想運算放大器的輸入抵補電壓為零
#1868597
37.如【圖 37】所示之二極體截波電路,倘若二極體視為理想,Vi(t)=5sin6280t 伏特,V1 = 6V,V2 = 4V,請問輸出電壓 Vo 範圍 ? (A)-4 V~6 V (B) -6V~4V (C) -4 V~5 V (D)-5V~6V
#1868598
38.有關 PN 接面的半導體敘述,下列何者錯誤 ? (A) P 型半導體的濃度高於 N 型半導體的濃度時,其 P 型側的空乏區寬度較寬 (B)PN 接面的空乏區內P 型側內含有負離子 (C)在逆向偏壓下,PN 接面會形成一空乏電容,其大小與偏壓成反比 (D) PN 接合時,所產生的空乏區將抑制擴散電流
#1868599
39.溫度每上升 1 oC 時,矽二極體的順向偏壓會: (A)下降 1 mV (B)下降 2.5 mV (C)上升 1 mV (D)上升 2.5 mV
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40.某電晶體 的 α 值為 0.98,請問 β 值為多少 ? (A) 9 (B) 29 (C) 49 (D) 98
#1868601
第二部分:【第 41-65 題,每題 2 分,共計 25 題,佔 50 分】41.有一台 3 馬力的電動機,若已知其損失為 250 瓦特,則此電動機之輸入功率為多少瓦特 ? (A) 2238 (B) 2488 (C) 1988 (D)750
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42.三只電阻器的色碼分別為:甲:黃紫紅金;乙:綠藍金金;丙:棕黑棕金,則三者的電阻值大小為: (A)甲>乙>丙 (B)乙>甲>丙 (C)甲>丙>乙 (D)丙>乙>甲
#1868603
43.如【圖 43】所示 ∆ - Y 互換,圖中 Ra 之電阻值應為: (A) 0.6 Ω (B) 1 Ω (C) 1.5 Ω (D)5 Ω
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44.交流 RLC 串聯電路,若電感抗 XL大於電容抗 XC,則此電路的性質為: (A)電阻性 (B)電感性 (C)電容性 (D)純電容
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