34. 如圖(十四)電路,如 ID和電阻值RD使得FET工作在飽和模式(Saturation mode)且VS=3V, VD=8V,R1=R2=1MΩ,則 ID和 RD值為何?(假定n-chanel FET的Vt=2V,K=1mA/V 2 )
(A)
(B)
(C)
(D)
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統計: 尚無統計資料
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